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<표 2 NAND 및 NOR 게이트의 응용>
입 력
출 력
A
B
회로(f)
회로(g)
전압(V)
논리
전압(V)
논리
0
0
0.24
0
0.21
0
0
1
4.17
1
0.22
0
1
0
4.17
1
0.21
0
1
1
4.17
1
4.18
1
(3) 종합검토 및 논의
(실습을 통하여 얻은 경험 또는 느낀 점, 검토 및 논의가 필요한 사항 등을
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회로를 구성하고 클럭을 1Hz로 설정하라. 클럭 펄스보다 앞서서 데이터 스위치를 HIGH 또는 LOW로 옮기면서 결과를 관찰하라. 보고서에 관찰 내용을 정리하라. 논리 1이 입력되면 패리티에 어떤 일이 생기는가? 논리 0이 입력되면 어떤 일이 생기
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을 반복하였습니다. D/A 변환기에서 전류 가산형 D/A 변환회로는 출력저항 RL(RL>>R)에 접속한 후 해당하는 비트의 전압을 V0, V1, V2, ···, Vn-1로 하면 Millman의 정리에 의하여 를 얻을 수 있습니다.
디지털 신호에서 논리 “1”의 상태일 때 각
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논리소자의 기능에 대한 실험입니다.
(6) <그림 17.10>의 회로를 구성하고, 단일펄스를 순차적으로 인가해가면서 지시된 점의 출력상태를 기록하라.
SI
CLK
A
B
C
D
0
↑
1
0
0
0
0
↑
1
1
0
0
0
↑
1
1
1
0
0
↑
1
1
1
1
1
↑
0
1
1
1
1
↑
0
0
1
1
1
↑
0
0
0
1
1
↑
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논리 상태를 형성하는 구형파이다.
그림 1-8은 슈미트 트리거 회로의 기본 파형을 보여 주는 것이다.
그림 1-8 슈미트 트리거 회로의 기본 파형
슈미트 트리거 회로는 그림 1-9와 같이 두 개의 트랜지스터로 구성할 수 있다. 이 회로에서 한쪽 트
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논리 0이 된다.
위의 그림의 게이트 회로에서 저항값은 R1은 4kΩ, R2는 1.6kΩ, R3는 2kΩ, R4는 5kΩ 정도가 된다.
TTL 게이트에서는 입력의 수를 늘리려면 입력 트랜지스터의 이미터 수를 늘리면 된다.
(a) 입력에 저전압 공급
(b) 입력에 고전압 공급
[
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회로를 축소가능)
⑥ 각 카운터 Symbol을 연결하여 최종회로를 구현하고
compiler 와 simulator를 통해 카운터작동을 확인 한다.
( Group 기능 사용시 편리 )
① T-F/F 리셋 단자가 있는 symbol을 생성
② 초, 분을 표현하기 위해 10진 카운터를 설계한다.
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논리 연산을 수행하는 게이트가 되는지 각 게이트 이름을 ( )에 적어라.
출 력
AND:
NAND:
입 력
입 력
입 력
출 력
출 력
출 력
NOR:
OR:
■ 다음 각 문장을 부울식으로 나타내어라. 또한 논리게이트를 이용하여 구성하고 동작을 확인하라.
회사 금고
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회로에 대해 슈미트 트리거의 히스테리시스 특성은 잡음 섞인 상승 시간이 느린 신호를 거의 이상적인 디지털 신호로 바꾸는데 매우 유용하다.
요약적으로 슈미트트리거 회로는 그림 12에서와 같이 두 개의 상반되는 동작 상태를 갖는 것으로
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논리적으로 결합되어 있다. 입력전압이 VL 과VH(window)사이에 있을 때 그 출력전압은 0이며 그 밖에 있을 때에는 그 출력이 +VSAT이다.
이 절에서 논의된 회로로서 비교기의 출력이 +또는 를 표시하기 위하여 그림의 LED회로를 사용할 수 있다. LED가
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