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부유게이트(Floating Gate) 대신, 전하 저장장소(트랩, Trap)를 많이 갖고 있는 부도체형의 질화막에 전하를 저장시키는 SONOS(Silicon gate-Oxide -Nitride-Oxide-Silicon channel) 구조를 결합시킨 것이다. 또한 부도체인 질화막에 전하를 저장함에 따라 인접한 메
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ce, drain contact에 coupling된다. drain 전압이 가해지면 electron은 두 개의 tunneling junction과 island를 통해 tunneling된다. 이때, source, drain은 동일하고, T=0이라고 가정한다.
그림 6.10b는 평형상태 밴드 프로파일(equilibrium band profile)을 나타낸다. T=0에서 Fermi
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ce, drain contact에 coupling된다. drain 전압이 가해지면 electron은 두 개의 tunneling junction과 island를 통해 tunneling된다. 이때, source, drain은 동일하고, T=0이라고 가정한다.
그림 6.10b는 평형상태 밴드 프로파일(equilibrium band profile)을 나타낸다. T=0에서 Fermi
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gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도
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게이트, 랜덤하우스코리아
▷ 콘스턴스 헤이스 저, 김원호 역(2006), 코카콜라의 진실, 북앳북스 Ⅰ. 서론
Ⅱ. 코카콜라(Coke)의 탄생과 발전
Ⅲ. 코카콜라(Coke)의 로고
1. 코카콜라 고유의 빨간색
2. 절묘한 스펜서체 코카콜라 로고
Ⅳ.
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