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하이텍의 SiC 플랫폼 고도화에 기여하고자 합니다. 입사 후에는 SiC MOSFET 및 SBD(Schottky Barrier Diode) 기반 제품의 구조 최적화, 공정 수율 향상, Gate 산화막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiC Hybrid Module 또는 SiC+GaN
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하이텍의 공정 플랫폼에 적합한 FS IGBT 또는 Trench IGBT 공정 모듈 안정화에 참여하고, 전력 손실을 최소화하면서도 생산 효율을 극대화할 수 있는 공정 개선 활동을 적극적으로 수행하고자 합니다. 나아가, Si 기반뿐만 아니라 향후 SiC 기반 Hybrid
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하이텍의 GaN 기술 내재화와 고객 신뢰 확보에 기여하고자 합니다. 입사 후에는 Wafer-level Reliability 확보, GaN-on-SiC/Si 기반 신규 공정 모듈 개발, Thermal Management 기술 강화 등 차세대 전력 소자 공정 경쟁력 확보를 위한 핵심 인력으로 성장하겠습
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DB하이텍은 고도의 기술력을 바탕으로 반도체 산업을 선도하는 기업이며, ESH 분야에서도 글로벌 수준의 안전·환경 경영을 실현하고 있다는 점에서 깊은 인상을 받았습니다. 특히, 중대재해 예방과 친환경 경영을 위해 선제적이
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하이텍의 기술 자산을 체계적으로 관리하고, 글로벌 고객 대응 수준을 한층 끌어올릴 수 있다고 확신합니다. 입사 후에는 기술문서 표준화 및 다국어 문서 대응 체계를 정립하고, AI 기반 문서 관리 도구 활용 등을 통해 기술문서의 생산성과
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하이텍의 설계 환경(PDK) 고도화에 기여할 수 있다고 확신합니다. 입사 후에는 기존 아날로그 소자뿐만 아니라, HV MOS, LDMOS, BCD 기반 복합 모델 개발 등에도 참여하고, AI 기반의 모델 최적화 기법과 반자동화된 측정-추출 프로세스를 통해 SPICE
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하이텍의 아날로그·BCD·전력 공정별 PDK 품질을 고도화하고, 고객 설계 효율성과 Tape-out 성공률을 높이는 데 기여하고자 합니다. 또한, 최신 EDA 툴 환경에 발맞춰 Python 기반 자동화 스크립트, AI 기반 모델 최적화 도입 등 차세대 PDK 체계 구현에
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하이텍의 차세대 전력 반도체 기술 개발에 제 경험을 접목시켜, 전력 소자에서의 고속 스위칭 성능을 더욱 향상시키는 데 기여할 것입니다. 향후에는 다양한 전력 응용 분야에서 DB하이텍의 MOSFET 기술이 경쟁력을 가질 수 있도록, 지속적으로
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하이텍의 고객 품질 만족도를 더욱 높이고, 나아가 Smart Implant Control 및 AI 기반 이상 탐지 체계 구축에까지 기여하고자 합니다. 1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자
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하이텍의 Etch 공정 고도화에 실질적으로 기여하고자 합니다. 입사 후에는 기존 공정의 안정성은 물론, 신규 공정 도입 시 빠른 최적화를 통해 Time-to-Market을 앞당기는 데 일조하고 싶습니다. 또한, 고객 품질 요구에 대한 빠르고 정확한 대응을
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