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orward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다.
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 특성
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정했을 때의 측정값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 영
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소자, 한국광학회, 2012
3. 박종진, 윤웅찬 외 1명, 광화학의 이해, 자유아카데미, 2011
4. 이상배, 고출력 광섬유 레이저 기술, 한국광학회, 2010
5. 윤중현 외 2명, 광케이블 선로를 위한 안정화 광원개발, 한국기계기술학회, 2012
6. 허영순 외 2명, 광
광유도초친수성 광소자, 광전자 광섬유, [광유도초친수성, 광전자, 광소자, 광섬유, 광케이블, 광통신, 광촉매, 광화학, 광원, 광선 분석]광유도초,
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1. Motorola
2. Texas Instruments(TI)
3. Philips
4. STMicroelectronics
5. Qualcomm
6. Conexant(전 Rockwell)
7. RF Micro Devices
Ⅴ. 무선통신 반도체의 신소자 기술
1. 나노 신소자 기술
2. 융합반도체 기술
3. 안테나와 센서 기술
4. 유비쿼터스 RFID
참고문헌
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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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분석과 개선방안에 관한 연구, 한국유통과학회
* 김상호(1993), 대규모소매기업의 물적유통관리 합리화방안에 관한 연구, 동아대학교
* 김용호(1992), 통합적 물적유통관리에 관한 연구, 부산대학교
* 박민영 외 4명(2010), 제품특성에 따른 물적유
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