|
의 곡선을 이용하라.
b. 실리콘 다이오드에 대해 식 rac = 26mV / ID(mA) 을 이용하여 ID = 9mA에서 ac resistance를 결정하라.
c. 실리콘 다이오드에 대해 ID = 2mA에서 a와 b단계를 반복하고 결과를 비교하라.
Part 6. Firing Potential
a. 각각의 다이오드 특성으로
|
- 페이지 4페이지
- 가격 1,500원
- 등록일 2006.10.30
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
다이오드의 성질을 이해하였다. 예비보고서를 작성하지 않았기에 결과보고서를 쓰면서 다이오드의 종류에 대해 공부 및 조사를 해보았다.
1. 제너 다이오드(Zener Diode)
순방향 바이어스 특성 및 항복전압에 이르기 전까지의 역방향 바이어스
|
- 페이지 15페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2011.10.23
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
실리콘 산화막(SiO2)이 증착되어져 있고 ,그 위에 게이트로 동작하는 금속 박막이 있다. 게이트, 드레인, 소스 및 기판은 Ohm적 접촉을 이루고 있다. 기판이 소스로 내부적으로 연결되면 기판연결 리드는 없어도 된다.
증가형 MOSFET의 구조
게이
|
- 페이지 7페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2007.05.10
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
실험 방법
시뮬레이션 결과
|
- 페이지 6페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2004.04.07
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
부근의 영역을 공핍층이라 한다.
순방향 다이오드 : P영역에서 양(+)의 전압을 N영역에 (-)의 전압이 인가된 상태를 순방향 (forward) 바이어스가 인가 되었다고 함
역방향 다이오드 : P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를
|
- 페이지 3페이지
- 가격 8,400원
- 등록일 2015.04.29
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|