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회로의 유용한 또 하나의 회로 구성은 전압을 평균하는 평균기(Averager)이다. 같은 입력저항에 대한 궤환저항의 비를 적절하게 선택함으로써 전체 입력저항의 합을 평균하는 값으로 할 수 있다.
Chapter2. 실험 결과 (시뮬레이션)
Pspice 모의실험
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) 저역 통과 필터
(2) 고역 통과 필터
(3) 대역 통과 필터
(4) 대역 저지 필터
▣ 예비과제
(1) 저역통과 필터인 <그림 20.2(a)> RL 직렬 회로의 전달 함수 H, 그 크기 H 및 위상 , 3dB 주파수를 유도하고 그 결과가 <그림
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표와 같은 값을 얻을 수 있었다. 전자회로실험 예비보고서
3장. 다이오드 정류 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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있 으며 전달지연시간은 평균 12nsec, 패키지당 소비전류는 평균 19mA이다.
4. 실험과정 및 결과예측
(1) 부울 대수의 정리
- 그림2-1(a)와 (a)의 두 회로를 결선하고 A, B의 입력변화에 따라 출력 X, Y를 측정하라.
(a)
(a)
그림2-1 부울 대수의 정리 실험
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회로를 결선하고, 입력 E, A, B의 변화에 따른 출력 D, D, D, D를 측정하여 표 8-6을 완성하여라.
입 력
출 력 (F)
E
A
B
D0
D1
D2
D3
0
X
X
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
그림 8-13 디멀티플렉서 실험회로
5. 참고자료
① TTL응용 실무 / Don Lancaster
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실험방법
A. 중첩의 정리
⑴ 그림 7-4의 회로를 결선하라.
⑵ 그림 7-4에서 loop 1과 loop 2에 대한 KVL식을 세우고 loop1에 흐르는 전류 과 loop 2에 흐르는 전류를 계산하여라.
⑶ loop 가 아닌 각 저항에 흐르는 전류 를 측정하라.
⑷ 를 단락 시키고 만
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실험과정 및 결과예측
(1) 그림4-3과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력값을 측정하라.
(a) NAND 게이트 회로 (b) Invert OR 게이트 회로
(c) Invert AND 게이트 회로 (d) NOR 게이트 회로
그림4-3 드-모르간의 정리를 증명하기 위한 실험회로
(2) 그
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회로 설계 실험
1. 사용할 저항들을 여러 가지로 조합하여 등가 저항의 저항값을 측정한다.
2. 10V 전원에 의해 5mA의 전류가 흐르는 직렬회로를 설계한다. R1 ~ R6 중에서 필요한 만큼의 저항기를 선택하여 기록한다.
3. 전원을 끄고 스위치 S1은 개
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실험과정 및 결과예측
(1) NAND 게이트
- 그림3-7의 NAND 게이트를 실험회로로 결선하고 A, B 두 입력변화에 따른 출력 X의 값을 측정하라.
(2) NAND 게이트의 응용
- 그림3-8과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력 X, Y, Z의 값을 측정하라.
(a)
(b)
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측정 직류회로에서는 각각의 저항 값에 비례하는 경향의 부분전압을 확인 가능하였고, 일부 손실 되었다고 생각되는 전압은 측정 장치와 저항의 기판에 할당이 되었다. 미세한 정밀도를 요하는 실험에서는 실험 전에 전압원의 input과 아무저
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