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1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 목적 및 서론 …………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~5P
5. 실험과정 ………………………………… 5P
6. 회
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트랜지스터 접지회로
들어가기 전에
트랜지스터란 ?
일종의 전자 스위치의 역할을 하는 반도체 소자로서 게르마늄, 실리콘을 사용하며 증폭, 발진, 변조 등의 작용과 역할을 하는 스위칭 소자
≪ 그 림 ≫
트랜지스터 동작
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접지, 에미터접지, 콜렉터접지의 3가지가 있다. 트랜지스터회로에서는 일반적인 h파라미터를 다음과 같이 표시한다.
1. h11은 입력저항을 나타내므로 h11=hi로
2. h21은 hf로
3. h12는 역방향 전달전압비율이므로 hr로
4. h22는 출력어드미턴스이므로
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문자 표기
발음 표기
문자 표기
발음 표기
Alpha (알파)
각도,면적,계수,감쇠상수,흡수율,베이스접지전류이득
Nu (누)
리럭티비티
Beta (베타)
각도,플럭스밀도,위상상수,에미터접지전류이득
Xi / Ksi (크사이)
X 좌표
Gamma (감마)
각도,도전율,비중
Omic
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경우 출력신호전력
P_l
과 입력신호 전력
P_e (=V_e I_e )
와의 비율을 전력이득(power gain)이라고 한다. 즉
A_p == P_l over P_e
또 하나의 파라미터는 출력신호전력과 "입력신호원 v_s가 공급할 수 있는 최대 전력"과의 비율이며 이것을 변환이득(transducer
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