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레포트를 마치겠습니다. 실험을 하면서 RLC회로의 전반적인 이론과 더불어 실험에 많은 도움을 주신 김성열 조교분께 감사의 말을 전합니다. 수고하셨습니다. □ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
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6
0.8
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3. 오차분석
오실로스코프를 이용하여 전압을 측정해야 했기 때문에 정확한 값을 얻을 수 없었다. 함수발생기의 주파수를 맞출 때 실험에서 요구한 주파수를 정확히 맞출 수 없었다. 그리고 실험에서 얻은 결과 값을 이용한 계산에서 발
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실험 목표-----------------------------2
2. 실습 내용-----------------------------2
3. 실험 장치 및 준비물---------------------5
4. 실험 장치의 이해-----------------------6
5. 실험 방법-----------------------------6
6. 실험 결과-----------------------------7
7. 실험오
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실험방법 및 순서 8
5. Simulation 11
6. 주의사항 및 주요 관찰사항 16
실험 3. 트랜지스터 증폭기 실험 17
1. 실험 목적 17
2. 기초이론 17
3. 예비 보고서 21
4. 실험기자재 및 부품 21
5. 실험방법 및 순서 22
6. 실험결과 23
실험 4. FET
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실험
- 초기 전원 인가 후 출력상태
- 입출력 전압의 1/0, H/L 전압 범위
- 출력 전압 값에 영향을 미치는 요소
- 정상적인 동작을 하는 전압 범위와 전류
Ⅲ. 실험 회로도의 측정 결과
- 클럭의 에지 구성
- 0V와 floating의 차이
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6 절 LED방향 표시기의 설계 ..................................... 19
제 4 장 제작 및 결과 ........................................... 20
4.1 절 AC to DC Converter의 제작 ............................. 20
4.2 절 적외선 송·수신부의 제작 ............................ 21
4.3 절 Timer의
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6 ~ p.17 2005
<5> CMOS ADC DLL PLL 칩의 최신 기술 동향, 포항공대 전기전자 공학과,
IDEC News Letter Octorber, vol.23, no. 5, p.16 ~ p.17 2003.
<6> 최 평 Pspice 기초와 활용 - 북두 출판사 2000 p.477 ~ p.479 VCO .
<7> 윤 정 배, “두 개의 DLL을 이용한 pulse shrink
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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실험
2.1 실험용 기능음 수집
2.2 감성 평가 실험
2.3 평가의 결과 분석
2.3.1 각 기능음의 선정과 문제점
2.3.1.1 LG사의 CYON 버튼음 ‘피아노음’
2.3.1.2 삼성사의 AnyCall 버튼음‘동물음’
2.3.2 비교 분석
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- 이론적 정의에 대해서 설명하라?
- 수학적 귀납법에 대해서 설명하라 1.면접의개념
2.면접의기본자세
3.면접비법
4.면접을잘볼수있는비법
5.면접유형
6.면접10계명
7.편입을위한준비사항
8.편입유의사항
9.전년도학과별면접문제
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