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입사 후에는 기존 아날로그 소자뿐만 아니라, HV MOS, LDMOS, BCD 기반 복합 모델 개발 등에도 참여하고, AI 기반의 모델 최적화 기법과 반자동화된 측정-추출 프로세스를 통해 SPICE 모델의 정확성과 생산성을 동시에 향상시키는 데 기여하겠습니다.
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입사 후에는 SiC MOSFET 및 SBD(Schottky Barrier Diode) 기반 제품의 구조 최적화, 공정 수율 향상, Gate 산화막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiC Hybrid Module 또는 SiC+GaN 기반 복합 시스템 대응 기술까지 준비하여, 차세
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입사 후에는 DB하이텍의 아날로그·BCD·전력 공정별 PDK 품질을 고도화하고, 고객 설계 효율성과 Tape-out 성공률을 높이는 데 기여하고자 합니다. 또한, 최신 EDA 툴 환경에 발맞춰 Python 기반 자동화 스크립트, AI 기반 모델 최적화 도입 등 차세대 P
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후에는 다양한 전력 응용 분야에서 DB하이텍의 MOSFET 기술이 경쟁력을 가질 수 있도록, 지속적으로 새로운 기술적 접근을 연구하고 적용하는 역할을 맡고 싶습니다. 또한, 글로벌 시장에서의 수요 변화에 맞춰 제품을 개선하고, DB하이텍이 시
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입사 후에는 Implant 공정의 장비 안정성 및 공정 조건 재현성을 기반으로, 불량률 감소 및 수율 개선에 기여하겠습니다. 또한, 신규 제품 대응을 위한 고에너지 도핑, Multi-step Implant 조건 확보, 불순물 확산 제어 등에 선제적으로 대응하여 DB하
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입사 후에는 DB하이텍의 공정 플랫폼에 적합한 FS IGBT 또는 Trench IGBT 공정 모듈 안정화에 참여하고, 전력 손실을 최소화하면서도 생산 효율을 극대화할 수 있는 공정 개선 활동을 적극적으로 수행하고자 합니다. 나아가, Si 기반뿐만 아니라 향
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입사 후에는 Wafer-level Reliability 확보, GaN-on-SiC/Si 기반 신규 공정 모듈 개발, Thermal Management 기술 강화 등 차세대 전력 소자 공정 경쟁력 확보를 위한 핵심 인력으로 성장하겠습니다. 또한, 고객 요구사항에 신속하고 정교하게 대응하며, DB하이텍
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입사 후에는 기존 공정의 안정성은 물론, 신규 공정 도입 시 빠른 최적화를 통해 Time-to-Market을 앞당기는 데 일조하고 싶습니다. 또한, 고객 품질 요구에 대한 빠르고 정확한 대응을 통해 신뢰 기반의 고객관계를 공고히 하고, 장기적으로는 Etch
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마트하고 정밀한 ESH 관리가 가능하도록 혁신하는 것이 목표입니다. 1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)
2. DB하이텍 지원 동기 및 향후 계획을 작성해 주
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입사 후에는 고객사와의 기술 커뮤니케이션 능력을 바탕으로 신뢰를 구축하고, 반복 불량 제거 및 품질 이상 조기 감지 체계를 강화해 DB하이텍의 글로벌 품질 경쟁력 제고에 기여하겠습니다. 궁극적으로는 고객 만족을 넘어 고객 감동을 실
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