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]
3㏈
계산치
74
2.6
52
85
52
모의치
82
2.6
55
85
55
실험치
64
45
45
오차율(%)
14
13
13
나. Graph BJT 회로도 넷리스트
입출력 전압, 입출력 저항, 밴드위드 시뮬레이션 파형
JFET 회로도 넷리스트
입출력 전압, 입출력 저항, 밴드위드 시뮬레이션 파형
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저주파 응답 - FET 증폭기
저주파영역에서 FET증폭기를 해석하는 것은 BJT증폭기의 저주파영역을 해석한 것과 매우 비슷하다. 그림 12를 사용하여 기본적인 관계식을 유도하지만, 그 과정과 결론은 대부분의 FET증폭기회로에 적용할 수 있다.
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저주파 응답 - FET 증폭기
저주파영역에서 FET증폭기를 해석하는 것은 BJT증폭기의 저주파영역을 해석한 것과 매우 비슷하다. 그림 12를 사용하여 기본적인 관계식을 유도하지만, 그 과정과 결론은 대부분의 FET증폭기회로에 적용할 수 있다.
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저주파 응답에 미치는 요인에는 입력결합캐패시터, 이미터바이패스 캐패시터, 그리고 출력결합 캐패시터 모두 영향을 미치게 된다.
3. 그림 24-1의 회로에서 신호원의 임피던스가 50Ω이고 βac가 100이라고 가정할 때 오직 C1에 의한 임계주파수
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이패스 회로의 주파수 응답을 나타내었다. 저주파에서 출력 전압은 최대가 되나 주파수가 증가함에 따라 출력 전압은 0에 접근한다. 이 때 차단 주파수는 출력 전압이 최대 값의 70.7%가 되는 지점의 주파수이다.
그림 6-2의 CE 증폭기는 입력 결
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