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내부저항 같이 엄청 미세한 영향은 배제하면
결과적으로 실험결과는 만족스럽게 잘 나왔다. 이것을 활용하여 다른 로직인 AND, OR, NAND등 여러가지를 구성하는 방법도 생각해 보면 좋을듯하다 1. 실험회로
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
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실험 3에서 Y와 Y\'에 흐르는 전압을 측정하니 약 1V가 나왔고 7400 TTL 2개의 게이트에서 입력단과 출력단의 전위차가 1V가 측정되는 것을 알 수 있었다. 실험 7. 디지털 게이트의 전기적 특성
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4.
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전기전도도.hwp……………………………………8p
이론
1. 원자의 포텐셜 에너지
2. 파동함수의 대칭과 비대칭
3. 최종 H의 핵 간거리 에너지당 에너지
4. 페르미 에너지 EF
5. 고체의 띠 이론
6. 저항과 온도
데이터
토의
calculation.xmcd
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것은 뒤의 Discussion에서 다루기로 하겠다. 이제부터 본격적으로 DATA분석에 들어가 보도록 하겠다.
먼저 그림 1과 같이 비반전비교기회로를 구성하고 입력신호는 300Hz, 첨두간 전압 3V로 맞추고 오실로스코프의 수평 및 수직 감도는 파형에
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차이를 알아 볼 수 있다. 목 차
-1주차 실험 (온도 보정)
-배경이론
온 도 보 정
Seebeck effect
R-Type thermocouple
-실험목적
-실험방법
-결과및 고찰
-NTC제조 공정 실험및 전기 저항 실험
-실 험 목 적
-실 험 방 법
-결 과
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(Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9
Ⅲ. 응용분야 11
1.1 홀 센서 ( Hall Senser ) 11
1.2 Hall Effect and Magnetoresistance 11
1.3 고유 이동도(Intrinsic Mobility) 14
1.4 Hall 계수와 Hall 이동도 측정법 14
Ⅳ. 참고자료 15
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실험 과정 중 회로의 저항 및 오실로스코프 및 파형발생기에서의 오차 등을 생각할 때 두 값의 오차는 더욱 작아지며, 거의 일치하는 값을 얻었다고 볼 수 있다.
< EXERCISES >
1. Using measured voltage levels and , determine the actual inductance of Fig. 8.1 at
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직접 측정하고 실험과정을 통해 직접 증명하는 과정은 평소 아무 생각 없이 외우고 사용하던 식의 의미와 원리를 이해하는데 많은 도움이 된 것 같다. < Part 1 , and versus Frequency >
< Part 2 versus Frequency >
< EXERCISES >
< 실험에 대한 고찰 >
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실험을 통해서 알아보았다.
무엇보다 오실로스코프를 사용하여 Dual-Trace 해석법을 사용하여 페이져 각을 계산하여 각 회로 요소의 위상차이를 보다 정확하게 측정할 수 있어서, 교류 회로를 이해하고 해석하는데 많은 도움이 될 것 같다.
실
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실험기기 및 부품
(1) BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이 회로를 구성해서 PSPICE 시뮬레이션을 수행하여 log()and log() vs (Gummel plot), -log(), - 그래프를 구
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