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측정치)= 약 =2.12V 오차 = 0.41V
다음 식은 부하시 출력전압과 무부하시 출력전압의 관계식이다. 위의 식을 이용하여 는 ==4132Ω
오차 = 1.332kΩ
5) 파형
6. 고찰
이번 실험 자체는 쉬웠으나, 결국 오실로스코프 사용법이 숙달 되지 않아 시간이 오래
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값을 주었으면 좋겠다. 책 자체도 너무 일관성이 없는 것 같다. 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 방법 및 결과값
4. 실험 순서 및 예상 결과값
5. 실험 결과 (실제 측정치)
6. 고찰
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에미터 전압 Ve와 에미터 전류 Ie 의 비로 정의되며 다음과 같이 계산된다.
5.Simulation
(1)CC 소신호 이득
(2) CB 소신호 이득
▣ 참고문헌
①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회
③전자회로실험
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트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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