|
값을 주었으면 좋겠다. 책 자체도 너무 일관성이 없는 것 같다. 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 방법 및 결과값
4. 실험 순서 및 예상 결과값
5. 실험 결과 (실제 측정치)
6. 고찰
|
|
|
증폭기이다.
여기서는 크게 이론치와 측정치가 크게 다를 바 없음을 볼 수 있다. 한가지 주목할 사항은 그 전압이득이 약1이라는 것이다. 하지만 이 실험으로 제대로 공통 컬렉터 증폭기의 특성을 알 아 볼 수는 없다. 왜냐하면 출력 전류도 살
|
|
|
V_s^2 / 4R_e
이다. 따라서 변환이득은 다음식으로 주어진다.
A_pt = P_l over {V_s^2 /4R_e }
3. 실험기구
직류전원장치, EVM, 트랜지스터(KSC900), 저항
4. 참고서적
전자공학의 기초(이영근 저) 274-281page 1. 목적
2. 이론
3. 실험기구
4. 참고서적
|
|
|
측정치)= 약 =2.12V 오차 = 0.41V
다음 식은 부하시 출력전압과 무부하시 출력전압의 관계식이다. 위의 식을 이용하여 는 ==4132Ω
오차 = 1.332kΩ
5) 파형
6. 고찰
이번 실험 자체는 쉬웠으나, 결국 오실로스코프 사용법이 숙달 되지 않아 시간이 오래
|
|
|
트랜지스터
- PNP, NPN : http://atelierace.egloos.com/2561640 1. 트랜지스터의 개요
2. 트랜지스터의 구조와 동작
3. BJT (Bipolar Junction Transistor) 쌍극형 접합 트랜지스터
4. 쌍극형 접합 트랜지스터의 특징
5. 에미터, 베이스, 콜렉터, 직류 베타,
|
|
 |
지식을
함양하였습니다. 또한 ‘전자회로’ 수업을통해 트랜지스터 증폭기와 RLC회로에 대한 신호해석기법을 습득하였습니다. A. 합격스펙
B. 자기소개서
1. 지원동기
2. 성장과정
3. 교내외 활동
4. 성격의 장단점
5. 취미생활 및 특기
|
|
메뉴펼치기
