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측정치)= 약 =2.12V 오차 = 0.41V
다음 식은 부하시 출력전압과 무부하시 출력전압의 관계식이다. 위의 식을 이용하여 는 ==4132Ω
오차 = 1.332kΩ
5) 파형
6. 고찰
이번 실험 자체는 쉬웠으나, 결국 오실로스코프 사용법이 숙달 되지 않아 시간이 오래
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공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니다. 게
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전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002.9
6. 전자회로, 최성재외 공저, 상학당, 2000.1&nbs
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