|
이를 바탕으로 평가 및 복습문제를 푸는데 도움이 되었으며 평가및 복습문제를 해결하면서 게이트의 여러 가지 활용방면에 대해서 알수있는 유익한 실험 이었다. 논리게이트
실험결과
실험결과및결론
고찰
평가및연습문제
|
|
|
pin 1
V pin 2
Input Voltage
Output Voltage
0
2.5
+5
표 3-4-2 (74HC04)
V pin 1
V pin 2
Input Voltage
Output Voltage
0
2.5
+5 실험 3.
CMOS 와 TTL NAND/NOR 게이트 정의와 동작
1. 목적
2. 기본 이론
3. 실험 기기 및 부품
4. 실험 과정
5. 실험 고찰
6. 필요한 결과
|
|
|
실험1. 부울대수와 논리식의 간소화
실험2. DeMorgan's Theorem
실험3. CMOS 와 TTL NAND/NOR 게이트 정의와 동작
실험4. Exclusive-OR와 응용
실험5. Integrated-Circuit Timers
실험6. Bistable or flip-flop
실험7. Altera MAX_PLUS program 및 FPGA 사용설명 NAND/NOR 게이트를 이
|
|
|
ep. of 3-input AND Gate
TRUTH TABLE OF 3 INPUT AND GATE
3-INPUT OR , NAND , NOR GATE
OR GATE 구성
NAND GATE 구성
NOR GATE 구성
De Morgan's theorem을 증명하고 설명
XOR gate의 입출력 값을 측정
각각 회로의 출력 특징 비교
회로 분석
실험 종합
|
|
|
NOR 게이트가 아니고 NAND 게이트 임에 유의하라. 14개의 핀을 가지고 있으며 전달지연시간은 출력이‘0’ 일 때 8nsec, 출력이 open일 때 35nsec, 패키지당 소비전류는 평균 8mA 이다.
저항 5.6(㏀), 1/4W
4. 실험과정 및 결과예측
(1) NAND 게이트
- 그림3-7
|
|
 |
결과 최적화: 19
기반 기술 지식의 확장: 20
산업 및 경제적인 이익: 20
교육 및 인력 양성: 20
? 전자공학 대학원 입시 핵심문제와 기출문제 분석 21
1. 회로 이론 (Circuit Theory) 21
2. 전자기학 (Electromagnetics) 22
3. 반도체 소자 (Semiconductor
|
|
 |
결과는 다릅니다. 문제를 해결할 때 전문적인 정보를 통해 원인을 찾는 것이 빠르게 해결하는 데 도움을 준다고 생각하여 이 방법을 선택했습니다. 문제를 해결하고 나서 이후에 행동도 매우 중요합니다. 문제를 해결했지만, 행동을 취하지
|
|
 |
결과는 다릅니다. 문제를 해결할 때 전문적인 정보를 통해 원인을 찾는 것이 빠르게 해결하는 데 도움을 준다고 생각하여 이 방법을 선택했습니다. 문제를 해결하고 나서 이후에 행동도 매우 중요합니다. 문제를 해결했지만, 행동을 취하지
|
|
 |
기술과 탄소튜브를 이용한 나노센서에 대해서 발표를 하였습니다. 과목을 수강하면서 웨이퍼의 공정과정 및 Lithography 기술에 대해서 공부를 하였습니다. 그 결과 저에게는 Photomask 및 웨이퍼에 대한 조금의 지식을 쌓게 되었습니다.
|
|
 |
실험 설계와 해석: 100
4. 오류와 불확실성 다루기: 100
5. 다양한 분야와의 융합: 100
6. 정보의 해석과 의사 소통: 100
7. 진실을 파악하는 도구: 100
기초 이론과 개념: 101
회귀 분석 및 모델링: 101
가설 검정과 추론: 102
데이터 분석 및 시각화:
|
|
메뉴펼치기
