|
전자 공학 – STEPHEN A. CAMPBELL 원저
화학기상증착법(CVD)
13.1 실리콘의 증착을 위한 기본적인 CVD 시스템( A Simple CVD System for the deposition of Silicon)
13.2 화학적 평형과 질량 운동의 법칙(Chemical Equilibrium and the Law of Mass Action)
13.3 가스 흐름과 경
|
|
|
회로는 재생시에 CR회로를 넣어서 보상한다.
3. 주파수(Hz)에 따른 입출력 전압의 크기 비 이론값
주파수
(KHz)
2
5
10
차단주파수
13.262
30
50
70
90
0.149
0.352
0.602
0.707
0.914
0.967
0.983
0.989
3. 참고문헌
- 전기 전자 기초 실험 (포인트)
- 전자 공학 기초 실
|
|
|
회로이론 시간을 비롯해 전자회로 등 많은 시간에 이 테브닌 등가회로에 대해 공부 했습니다. 이유인 즉 복잡한 회로를 간단하게 우리가 이용하기 편리하게 정리해 주는 큰 장점이 있기 때문입니다.
이번 실험을 통해서 테브닌 등가회로에
|
|
|
전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999) 1. 실험목
|
|
|
전자현미경의 늦은 발전은 분해능을 뒷받침할 수 있는 고성능의 주변장치(전자검출기, 화상모니터)가 늦게 개발되었기 때문이다. 상품화한 것은 1960년대에 영국과 일본에서 제작되었다.
* 요약
1897년 톰슨(J.J. Thomson): 전자발견(노벨 물리학
|
|
|
전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드
|
|
|
전자와정공)
* 아날로그 회로의 증폭용 소자로 많이 사용
* 베이스에 전류가 흐르므로 전류증폭이 가능
FET(Fied effect transistor) – unipolar junction transistor
*동작에 관계하는 캐리어가 1개 (전자또는정공)
*디지털회로의 스위
|
|
|
회로를 그려라.
4. 그림 8-6의 회로에는 로 표기된 출력이 있다. 에 대한 표현식을 적고, 드모르간의 정리를 이용하여 X에 대한 표현식을 구하라.
그림 8-6
6. NAND 게이트를 사용하여 실험 순서 2에서 구한 표현식으로부터 무효 코드 검출기를 구현
|
|
|
회로는 현재의 출력상태가 논리회로의 새로운 출력에 전혀 영향을 미치지 않는 논리회로이고, 순서논리회로는 현재의 출력상태가 논리회로의 새로운 출력에 영향을 미치는 논리회로이다. 예를 들어, 조합논리회로의 예로는 전자계산기에 비
|
|
|
실험 목적
① RL회로에서 인가전압 V와 전류 I의 위상각 θ를 측정한다.
② 인가전압 V, 저항에 걸린 전압 , 인덕터에 걸린 전압 의 다음과 같은 관계를 실험적으로 확인한다.
2. 관련이론
① 페이저 : 크기와 방향을 표시하며 전자공학에서 정현
|
|
메뉴펼치기
