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실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가
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실험
① 연산 증폭기의 이득
위는 pspice 회로도이다.
왼쪽 그래프는 OFFSET을 3V, AMPL를 500mV 주었을 때의 시뮬레이션 결과이다. (실제 실험에서는 점진적으로 증가시키나 동작 성향을 파악하기 위해서 고정값을 설정하였다)
RR과 RF의 비가 1:1이므
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1N4154 또는 대치품
기타 : SPST 스위치, 5000Ω 2W 전위차계
<실험 과정>
<바이어스 안정화>
1. 오른쪽과 같이 회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음
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실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의 원인 발견을
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류가 크게 영향을 받는 회로의 순서는
실험 ①회로 > 실험 ③회로 > 실험 ②회로
였다.
즉 실험 ①회로인 1개의 저항을 이용하는 BJT 바이어스 회로는 이론과 같이 트랜지스터의 β에 매우 민감한 의존성을 지닌다는 사실이 실험적으로 확인
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<실험목적>
브릿지 정류기에서의 도통은 2개의 직렬 연결된 정류기가 교대로 도통되는 결과임을 확인한다.
입,출력 파형을 관찰하고 측정한다.
DC전압 출력과 리플에 대한 여파 회로의 효과를 측정한다. CH.9 브릿지 정류기 ( Bridge Rec
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실험 결과 및 검토
이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에서 여러 정류기를 써보았는데 대체적으로 오차율이 적고 정류되는 파형도 잘나와서 만족스러운 실험이 되
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경우 (100배정도) 이미터전류는 트랜지스터의 β 에 영향을 받지 않고 트랜지스터를 바꿀 경우더라도 콜렉터 전류와 콜렉터 이미터간의 전압 또한 크게 변화가 없을 것인데 이러한 실험을 하지 않고 단순히 회로만 꾸며보고 살펴보았기 때문에
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실험목적
CE 증폭기의 입출력 임피던스를 측정
CE 증폭기의 데시벨 증폭도를 측정 실험 15. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상
실험목적
CE 증폭기 회로
입력 임피던스
출력 임피던스
전력이득
위상관계
By-pass Capacitor
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실험의 여건상 제대로 Ib에 따른 각 region 별 콜렉터 특성을 살펴보고 비교할 수 없어서 아쉽다.
고정바이어스 실험과 전압분배기 바이어스 실험에서는 단순히 회로만 꾸며보고 그 특성을 살펴보았을 뿐 거기에 따른 트랜지스터별로 비교하거
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