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의해서 게이트-소오스 전압의 변화가 MOSFET의 전달 컨덕턴스인 배만큼 증폭되어서 드레인 전류로 나온다. 드레인 전류와 저항 의 곱에 의하여 드레인에서 출력전압이 나온다.
따라서 게이트에 인가되는 작은 전압은 드레인에서 큰 전압으로
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이트가 정하고, 얼만큼 흘려주는 것에 대한 것은 드레인전압에서 결정하게 됨. 소스를 기준으로 게이트 전압이 기준되고, 이를 기준으로 드레인전압이 정해짐
드레인쪽에 전압은 커질 수 있는데 커지면 커질수록 전류가 커지는 것이며, linear
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0.7V 기준으로 스위치처럼 모델링하여 사용이 가능하다.
- 역방향 바이어스일 때 보통은 전류가 흐르지 않지만 큰 전압(ex. 100V, 200V)을 흘려주게 되면 다이오드가 깨지면서 전류가 흐르는 현상이 발생한다. 1. 회로이론
2. 전자회로
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파 정류회로, 커패시터 평활회로, 전압 레귤레이터 등으로 구성됨.
커패시터 평활회로: 전파 정류회로 출력의 리플 크기를 감소시킴.
커패시터의 시상수 을 크게 하면, 출력전압의 리플 크기를 작게 만들 수 있음.
1.4.3. 리미터 회로
리미터:
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공급 장치
직류전원 공급 장치: 220V, 60Hz의 선 전압을 직류 전압으로 변환하는 장치
압기, 전파 정류회로, 커패시터 평활 회로, 전압 레귤레이터 등으로 구성됨.
(4) 커패시터 평활회로를 갖는 전파 정류회로
커패시터 평활회로: 전파 정류회로
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회로 해석, 설계 단순화)
이상적 등가모델: PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이상적인 스위치 동작으로 단순화.
정전압 등가 모델: PN 접합 다이오드의 동작 특성을 정전압과 스위치의 동작으로 단순화.
부분선형 등가모델
순방향 바이어스:
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됨
- 근사화를 통해서 0.7V에서 on/off가 되는 수직의 그래프로 표현이 가능
※근사화를 하는 이유 : 비선형 회로를 선형화하는 작업을 통해서 모델링을 하면, 원래 비선형 소자는 컴퓨터 프로그램을 통해서 계산해야 하지만 모델링을 하면 머릿
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동작.
2.1.3. 순방향 활성 모드의 전류 성분
관련식
공통베이스 전류이득 0<
이미터에서 베이스 영역으로 주입된 전자 중, 컬렉터에 도달하여 컬렉터 전류를 구성하는 비율 2.1.2. BJT의 동작모드
2.1.3. 순방향 활성 모드의 전류 성분
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2.1 The Op-Amp Terminals
·다양성, 경제성, 다양한 공급처, 다양한 응용, 이상적인 증폭기에 근사 (이론치와 근사)
·op-amp 자체를 회로의 구성요소
반전입력 (1) 실제 증폭기로 사용할때에는
비반전입
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회로의 보호
여러 가지 원인에 의해 출력단자가 쇼트 된다면 많은 양의 전류가 흐르고 소자가 타 버릴수 있다. 그러나 741등의 많은 ic경우에는 이러한 상황을 막기 위한 보호회로가 내장되어있다.
한쪽에서 많은 전류를 끌어올리려면 다른 쪽
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