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회로로 커패시터에 축적된 에너지가 과 가 교대로 출력되어서 출력단에서 정현파를 얻을 수 있도록 하는 역할을 한다고 할 수 있다.
(4) 실험시 어려웠던 점이나 건의할 내용은 무엇인가?- 없음.
실험에 있어 가장 큰 오차값을 보인 것은 출력
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회로 구성
< 시뮬레이션 결과 >
- 7404와 7414의 가장 큰 차이는 7404는 Low에서 High로, High에서 Low로 변함에 따라 중간에 펄스신호의 상태가 변하는 것을 확인 할 수 있었고, 7414는 상태가 변하여도 출력 펄스가 깔끔하게 나오는 것을 확인할 수
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지 증폭기의 용도를 조사하라.
임피던스 정합을 필요로 하는 여러 응용회로
Buffer
저임피던스 트랜스듀서(ex 스피커) 구동회로
(2) CC 증폭기와 CE 증폭기의 입력 임피던스와 출력 임피던스를 서로 비교하여라.
CC증폭기의 입력 임피던스 및 출력
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회로를 구성하고 실험하였더니 High state 출력이 약 1초마다 반복되는 출력을 확인할 수 있었습니다. 다시 말해서, 출력전압의 주기는 약 1초이고 듀티 비는 매우 작은 전압의 파형을 출력하는 것을 확인하였습니다. 저항 의 값을 감소시켜 가면
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회로를 구성하고 스위치 단자를 floating 시킨 상태에서 Vcc +9V를 인가하고 스위치를 A점에 인가했더니 실험 결과와 같은 매우 만족할만한 결과가 바로 나왔다.
비안정 동작 실험을 할 때는 회로를 구성하였더니 출력단에서 구형파의 출력이 나
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(2) 가변 저항을 이용하여 PWM 신호를 제어한다.
(3) 오실로스코프를 이용하여 제작된 회로의 상태를 점검한다.
(4) 제작된 회로가 주어진 설계 목적을 만족하는지 살펴본다.
(5) 제어 입력에 따른 출력 회전 속도를 10회 이상 측정하고 오차를 계
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573 V
g. VO를 측정하고 순서 4(f)의 결과와 비교하라.
VO (측정값) = 0.58 V
5. 브리지 구조
a.다음 회로를 구성하고 저항값 들을 측정하고 기록하라.
R1(meas) = 0.98kΩ
R2(meas) = 2.14kΩ
R3(meas) = 2.14kΩ
b. 순서 1에서 측정한 두 다이오드의 문턱전압을 이용하
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회로 구성에는 몇 번을 확인해 봐도 이상이 없었지만, 이러한 오차가 발생한 이유는 아무래도 브레드 보드의 문제거나, CA3046 소자에 이상이 있어 이러한 값이 나타난 것 같다. 이번 실험에서는 저번 실험과 다르게 예비보고서에서 실행한 시
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회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구성한 후 값을 측정하였는데, 이론 상 이 값은 약 30uA정도가 나와야하며, 실험에서도 이와 비슷한 37.35uA가 나온 것을 확인할 수 있다. 약간의 오차가 발생한 것은 서로 정합되지 않은 MOSFET을 이용하여 회로
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회로도
-오른쪽 위의 결과표를 보면 옴의 법칙을 완전히 일치하지는 않지만 근사적으로 일차 한다. 예를 들어 직렬 연결된 5㏀저항을 보면 V=IR이므로 5㏀ * 0.61㎃ 은 3.05V 가 나와야 하지만 실제 측정된 값은3.0421V 이며 0.0079V 의 차이는 아주 작
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