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된다.
실험기기
테스터, 오실로스코프, 함수발생기, 교류전압계, 교류전류계
만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼
저항 220 , 470 , 1.5k 1 . 개요
2. 실제의 공진회로
2-1 직렬회로
2-2 병렬회로
2-3 병렬공진회로
3. 실험기기
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그림 7-1와 같이 선형, 쌍방향성, 수동 소자로 된 회로망의 입력단자에 전원을 연결하였을 때, 출력단자에 20mA의 전류가 흐른다고 한다면, 반대로 같은 전원을 그림 7-3과 같이 출력단에 연결하여도 입력단자에는 같은 전류(20mA)가 흐르게 된다.
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회로에서 RB를 낮추면?
(a) IB가 감소한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 회로에서 RB의 값을 낮출 경우 IB=(|VEE|-0.7V)/(RB+β×RE)에서 IB값이 증가하게 되고 이것은 IC값의 증가로 이어진다. IC값이 증가하게 되면
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회로에서 부하저항 RL이 커진다면 이득은?
(a) 눈에 뛰게 증가한다. (b) 눈에 뛰게 감소한다. (c) 그대로이다.
⇒ Av=Vout/Vin=[ie×RE||RL)]/{ie×[r'e+(RE||RL)]}=(RE||RL)/[r'e+(RE||RL)]에서,
출력단의 부하저항의 값이 커지면 커질수록 Av의 Vout값이 Vin보다 훨씬 더
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I=IRLC를 측정하여 기록한다.
임피던스 값을 구한다.
RLC 병렬회로
회로
소 자 값
공급전압
전체전류 IRC IRL IRLC
R
L
C
RC
RL
RLC
RLC 병렬회로
회로
소 자 값
임피던스 값
R
L
C
RC
RL
RLC 1.실험목적
2.실험관련이론
3.실험도구
4.실험방법
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1. 적분기
①10KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=1.455Vp-p
②4KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=3.237Vp-p
③100HZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=10p-p
2. 미분기
①10KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=35mV
②1KHZ
<회로도>
<시뮬레이션&g
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2.1 The Op-Amp Terminals
·다양성, 경제성, 다양한 공급처, 다양한 응용, 이상적인 증폭기에 근사 (이론치와 근사)
·op-amp 자체를 회로의 구성요소
반전입력 (1) 실제 증폭기로 사용할때에는
비반전입
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회로를 구성하여 그리고, 카르노맵을 사용하여 간략화시킨후, NOR-NOR로 회로를
구성하여라.
f(A,B,C,D)= SUM (0,4,8,9,10,11,12)
CD
AB
00
01
11
10
00
1
0
0
0
01
1
0
0
0
11
1
0
0
0
10
1
1
1
1
☞
f(A,B,C,D)=AB prime +C prime D prime
☞ NOR-NOR 회로 1. 실험목적
2. 이론
3
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UT SIGNAL circuit block는 고정된 high와 low 신호의 두 출력을 공급한다.
.회로판에서 논리 회로는 DIP와 IC package를 포함한다.
EXERCISE 1-2 Connecting the Digital Logic Circuit
EXERCISE OBJECTIVE
디지털 논리회로를 연결하고 입력과 출력을 관찰하라.
DISCUSSION
.tow-post
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다.
.XNOR 회로의 output은 equality의 input상태에서 high이다.
.XOR와 XNOR gate의 output은 동일한 XOR와 XNOR input state에 대해서 반대이다.
Exercise 3-2 Dynamic Response of XOR/XNOR Gate
square wave input에서 XOR와 XNOR gate의 반응을 설명하라.
DISCUSSION
.two-input XOR또는 XNOR ga
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