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회로에 대해 다음의 입력파형에 대한 FF의 출력 Q[3:0]를 그리고, 출력이 0-9까지 10진수로 증가하도록 나타내어라.(단, MyCad의 ‘시그널 합치기...’를 이용하고, 입력 CLK의 주기는 60ns이다.)
(5) JK 플립플롭을 이용한 동기식 감산 16진 카운터를
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(1) <그림 21.11>의 회로를 떼어낸 후의 기억시킨 결과는 일치하는가?
실험하진 않았지만 이론상 일치 해야한다.
(2) PROM과 EPROM을 비교 설명하라.
PROM은 PROM은 공CD와 마찬가지로 단 한번 기록이 가능한 ROM이다. 기록방식은 퓨즈라는 연결 금속
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본
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회로 내부 전선의 저항은 무시하고 계산 하였으나 실제에선 소량이지만 저항이 있었을 것이다.
5. 토의
이번 실험은 실험이론에 대한 전반적인 지식이 없이는 실험 목적과 실험방법을 잘 파악하기 어려운 실험이었다. 그 중 RLC 공명회로를 구
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실험 내용
오실로스코프 앞단에 있는 Reference 출력단에 프로브(probe)를 접촉시킨다. 화면에는 사각파가 나타날 것이다. 물론 TIME/DIV, VOLTS/DIV을 적당히 조정해야 한다.
만약 Function Generator가 있는 경우에는 Function의 출력을 사용하라.
4. 실험결과
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1.실험목적
전기회로의 저항과 전압 그리고 전류값의 상호관계를 알아보고, 저항(R)과 전류(I) 그리고 전압 (E)가 각각 전기회로에서 무엇을 뜻하는지를 실험으로 확인해 보고자 한다. 전기회로에서의 옴(Ohm)의 법칙을 이해하여 회로를 해석할
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순서 논리 회로 플립플롭( flip-flop) 실험보고서
1. 실험목적
순서논리회로의 기반이 되는 플립플롭을 RS, D, T, JK, 플립플롭 등을 대상으로 하여 동작 원리를 살펴보고, 전반적인 이해를 한다.
2. 이론
디지털 회로는 조합(combinational) 논리회로
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순서 논리 회로 플립플롭( flip-flop) 실험보고서
1. 실험목적
순서논리회로의 기반이 되는 플립플롭을 RS, D, T, JK, 플립플롭 등을 대상으로 하여 동작 원리를 살펴보고, 전반적인 이해를 한다.
2. 이론
디지털 회로는 조합(combinational) 논리회로
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실험목적
MBL 실험장치(PASCO)의 전압센서와 전류센서를 이용하여 RL회로에서 저항 양단에 걸리는 전압과 코일 양단에 걸리는 전압, 그리고 회로에 흐르는 전류를 측정할 수 있다.
직류 전원이 RL 회로에 연결되었을 때 전류와 각 회로소자에
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위의 회로는 RC회로 시뮬레이션을 위해 pspice에서 만든 교류회로이다. 위의 회로에서 전압과 전류의 위상 차를 구하기 위해 전원의 전압 차와 저항의 전압 차를 그래프로 나타냈다. 실험 결과에 넣은 그래프를 살펴보면 저항 전압이 전원 전압
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