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상 상태에 이르는 시간이 길어진다.
이 식을 통해 확인하면 Q0 값이 클수록 시정수가 커져서 과도 상태가 오래 지속되고 결국 정상상태에 이르는데 오랜 시간이 걸림을 알 수 있다.
◎ 다이오드 순방향 특성 실험 회로 실험보고서
Forward
V(d)
I(mA
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실험이다. 그리고 인덕터에서 전력은 소비 되지 않는다는 것 또한 확인하였다. 다만 우리 실험에서 인덕터는 내부저항을 가지고 있기 때문에 다소 전력을 소비하였었다.
실험 F. 저항-인덕터-커패시터 직렬 진동 회로
1) 다음의 저항-인덕터-
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실험 (2) (a) 회로의 실험결과를 이용하여 타이밍도를 그리시오.
A
B
Y
A와 B의 출력신호
확대 전
확대 후
8. 응용실험 (2)의 회로의 구성에 대한 패턴도를 완성하시오
9. 본 실험을 하면서 나름대로 배운점을 쓰시오.
오픈 컬렉터의 의미, 3-상태 버
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실험 방법 및 시뮬레이션
[예비실험 1] 위의 그림 9.4의 회로의 출력을 출력하시오.
50ns의 클록의 주기를 40ns로 바꾸고 출력하시오.
회로를 작성하고 시뮬레이션 해보면 다음과 같다.
A,B 모두 0일때 x가 1이면 클록이 활성화 될 때(120ns 시점에) A
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실험1.2
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 이번 실험은 게이트와 드레인을 쇼트시켜서 전압이 같아지도록 만들어준 회로이다. 그러므로 가 되므로 이 회로는 항상 포화영역이 되는 것을 알 수 있다. 를 증가해줌에 따라서 1.7V부근에서 이것
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출력(Y)
(V)
A(V)
B(V)
0
0
0
5
0
5
0
5
5
0
5
0
5
5
5
0
5. 기초실험 (2)의 실험결과에 대한 타이밍도를 그리시오.
A
B
C
X
6. 다음 OR 게이트 회로의 논리식을 쓰시오.
X = ((A+B)+C)+D
Y = (A+B)+(C+D)
7. 다음 AND 게이트 회로의 논리식을 쓰시오.
X = ((AB)C)D
Y = (AB)(CD)
8. 본
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실험이었던 것 같다. 병렬 회로에서의 오차는 심하게 났다. 표시저항값은 50옴 50옴을 연결해서 25옴으로 맞추고 하였는데 측정값의 평균기울기를 구하여 저항값을 구하니 50옴정도로 약 2배 정도 차이가났다. 병렬회로에서의 저항을 잘못 하였
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실험으로 폐경로 내에 있는 각 소자에 걸리는 전압의 대수합은 0 즉, 전압강하의합 = 인가전합의합이 성립하는지를 실험을 통해 알아보는 실험 이었다.
전압원이 하나일 때 저항이 직렬로 연결된 회로와 두 개일때 저항이 직렬로 연결된 회로
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실험한 쪽과 다른 한 쪽의 전압을 0으로 놓고 실험을 하는 걸 보니 중첩의 원리를 알아볼 수 있는 실험일 것이라 생각된다. 표를 읽는 방법은 위와 같고 각 값들은 회로에 표시되었다.
⇒두 전원을 각각 0V로 하고 실험을 한 후 중첩의 원리가
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포함된 병렬 공진된 회로의 경우, 이 R은 C의 유전체 저항이라 고려하면 유전체 저항이 클수록 C는 우수한 것이므로 병렬공진회로에서 Q는 C의 품질을 나타낸다고 볼 수 있다. 그러나 이것은 이상적인 회로에 한정된다.
Q를 이용하여 각 소자에
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