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Diode 2
1. 실험목적
● Bridge회로를 구성하고 동작원리를 이해한다.
● Zener Diode의 동작원리를 이해한다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : Bridge 회로
≪ 그 림 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : Bri
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-3dB인 4Hz에서 64Hz정도 대역 주파수 차단
3. 참고 문헌
전자공학의 기초 (이영근 저) - 광림사 691-694
3. 시뮬레이션
시뮬레이션 회로도
시뮬레이션 결과 1. 목적
2. 이론
3. 참고 문헌
3. 시뮬레이션
시뮬레이션 회로도
시뮬레이션 결과
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실험 하였는데, 실험 방법은 브레드 보드에 회로를 설치하여, 파워 서플라이로 전압을 공급해주고, DMM으로 (1KΩ)저항에 대한 전압을(VR)을 측정하면서, 각 전압에 따른 다이오드데 대한 전압(VD)값을 측정하였고, 실제 저항값과 전압에 대한 ID
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실험 / David Buchla / ITC
설계 중심의 디지털 공학실험 / 우홍체, 박철형, 남세현 / 페이퍼백
ezcmm.blog.me/110165198994 - ‘부품’관한 정보 0. 개요 (프로젝트의 목적 및 필요성)
1. 설계 이론
2. 프로젝트 일정
3. 역할 분담
4. 프로젝트 예산
5. 참
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회로에서 우측 상단 다이오드를 제거하고, VO와 VR3값을 측정하라. 이 결과를 위 계산값과 비교하라.
VO (측정값) = 1.35 V
VR3 (측정값) = 2.96 V
7. 컴퓨터 실습
Pspice 모의실험 3-1
Pspice를 이용하여 아래 회로를 해석하라. 이 결과를 2(f)에서 측정한 값
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회로 실험 / 출판사-진영사 / 저자-박건작외 3명
② 책이름디지털 전자회로 / 출판사-신화전산기획 / 저자-임광빈
③ 책이름집적회로 / 출판사-성학당 / 저자-이영준
④ 웹싸이트 - http://princess.kongju.ac.kr/
4. WINCUPL 설계 및 결과
1)전가산기 시뮬레
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1. 제목: 실험15. RL 직렬회로의 인덕턴스 측정
2. 실험결과
1) 과정(1) 인덕턴스 L 측정
≪ 그 림 ≫
Figure 15.5 - L 측정회로
Table 15.1 - L 측정회로 VA2=VR2+VL2
≪ 표 ≫
2) 과정(2) 저항(등가 인덕턴스) 측정
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1. 제목 : 실험 18. RC 회로의 리액턴스 측정
2. 실험결과
≪ 그 림 ≫
(1) 표 18-1. VR 과 Vc 의 측정
≪ 표 ≫
(2) 표 18-2. Xc의 측정
≪ 표 ≫
(3) 표 18-3. 임피던스의 측정
≪
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실험 장치)
속칭 빵판 또는 빵틀로 전자회로의 시제품을 만드는 데 사용하고 재사용할 수 있는 무땜납 장치이다.
3.2. 실험재료
1) IC(Integrated Circuit)
집적회로라 불리며 특정 기능을 수행하는 전기회로를 반도체소자(트랜지스터 등)를 하나의 칩
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전자회로/ / 신화전산기획 / p4-1 ~4-15
최신 디지털 전자회로/ 양태진 / 동일출판사 / p181~197
반도체회로/ / 성안당 / p228~249 , p256~271 1)실험제목
2)목적
3)이론
* 트랜지스터의 구분
* FET의 구분
* BJT와 FET의 비교로 보는 특징 및 장점,단점
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