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BJT와 FET의 비교로 보는 특징 및 장점,단점
가) 자기바이어스(JFET)
① JFET의 동작원리
*** 핀치오프 점?
② JFET의 특성
④ Q점의 결정
나) 전압 분배 바이어스 회로(JFET)
다) Zero 바이어스 회로(공핍형 MOSFET)
라) 드레인 궤환 바이어스(증가형 M
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과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다.
2. 이론
FETs (Field Effect Transistor)
(1)FET 소자의 기능은 BJT와 똑같다. 특징으로서는 BJT구동을 위한 전
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BJT와는 달리 게이트와 소스 사이입력 임피던스가 매우 커서 게이트에 유출입하는 전류가 매우 작고 따라서 BJT와 비교할 때 MOSFET의 구동전력은 매우 작다
한편, 그림 2-34에 보인 바와 같이 실제의 전력용 MOSFET는 소스와 드레인 사이에는 pn 접
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MOSFET)와 유사한 특성을 갖는다. TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘, CdSe가 사용된다.
4. 전자소자의 종류
- 수동소자 : R, L, C
- 진공관 : 2극관, 3극관, CRT
- 반도체 소자
Diode
BJT
MOSFET
광전자소자(LED, LD)
IC(LSI, VLSI, ULSI)
TFT(Thin Film
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중앙의 pn 접합부는 역바이어스되므로 그림(a)와 같이 공핍층이 생겨 전류가 흐르지 않으므로 차단(OFF)상태로 된다. 전원 EA의 극성을 변화시켜도 다른 2개의 pn 접합부에 공핍층이 생겨 역시 차단 상태가 된다. 그림(a)에서 캐소드 전극에 가까
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