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► 진성반도체 (intrinsic semiconductor) : 불순물이나 결정 결함이 없는 완전한 반도체 결정
T= 0 K, VB: 전자로 충만, CB: 비어있음
에너지 (열, 빛, etc.) 에 의해 VB 전자 →로 이동 : 전자-정공 쌍(EHP : Electron-Hole Pair) 생성(generation)
자유전자 수 =
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진성반도체, P형 반도체, N형 반도체의 특징과 차이점을 알 수 있었고 P형 반도체와 N형 반도체를 사용한 PN접합에 대해서도 공부할 수 있었다. PN접합한 반도체는 우리가 일상적으로 쓰는 다이오드이고 이 다이오드가 다시 응용되면, TR로 쓰일
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따라 감소.
온도계수가 마이너스(-)이면 반도체.
극히 소량의 불순물을 첨가하면 저항률이 크게 변화하여 도전률이 증가. 개 요
에너지 간격 통과하기
진성 반도체
외인성 반도체
재결합과 수명
III-V족 반도체와 II-VI족 반도체
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진성반도체의 전기전도에 대하여 설명하여라.
2. PN접합의 정류이론을 설명하여라.
3. 홀 효과에 대하여 설명하여라.
4. 화합물 반도체에 관해서 기술하여라.
5. 조운정제법에 관해서 설명하여라
6. 터널다이오드에 관해서 설명하여라.
<5>
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반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전압이
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진성 반도체와 외인성 반도체, p-n 정류접합과 트랜지스터를 배우면서 반도체의 기본 개념과 원리에 대해 공부하며 신소재공학의 기초를 다졌으며, 선택 과목으로 재료전자 물성론, 재료 열역학 등을 수강하며 지식의 폭을 넓힐 수 있었습니
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