• 통합검색
  • 대학레포트
  • 논문
  • 기업신용보고서
  • 취업자료
  • 파워포인트배경
  • 서식

전문지식 1,047건

어 테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop
  • 페이지 10페이지
  • 가격 1,500원
  • 등록일 2005.03.03
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
Phase Change Memory ............................page. 1 1. About the Phase Change Memory ........................page. 1 1-1. Operation Theory of the Phase Change Memory .......page. 2 1-2. The most promising Memory - PRAM ..................page. 3 2. The features of the Phase Change Memory .
  • 페이지 7페이지
  • 가격 1,200원
  • 등록일 2010.01.13
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
PRAM(Phase change Random Access Memory) 1. 상변화 기술이론 2. PRAM 3. 국내의 기술개발 현황 Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) 1. FRAM의 도입 2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM 3. 전기분극 벡터의 중요성 4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM 5
  • 페이지 39페이지
  • 가격 900원
  • 등록일 2005.12.22
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
Memory) 7. SRAM (Static Random Access Memory) ※ DRAM과 SRAM의 차이점 8. RAM의 발달과정 Ⅱ. ROM ( Read Only Memory) 1. ROM의 정의 2. ROM 구성 3. ROM별 특성 Ⅲ. 차세대 메모리 ◆ 차세대 메모리의 종류 1. PRAM (Phase Change RAM) 2. FRAM (Ferroelectric RA
  • 페이지 14페이지
  • 가격 1,000원
  • 등록일 2007.05.03
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
PRAM 기술 개발 동향 1) Ovonyx사 - 오보닉스사는 모회사인 ECD-Ovonics 사의 1960년 발표한 상변화 메모리의 원천특허의 라이선스 양도 받아 PRAM 개발에 주력하고 있는 회사이다. 하지만 자신들이 직접 메모리를 만들 수 있는 시설이 부족하기 때문에
  • 페이지 18페이지
  • 가격 2,800원
  • 등록일 2009.04.07
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음

논문 8건

차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory) 1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor) 1-2. PRAM (Phase change random assess memory) 1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory) 1-4. FRAM 1-5. ReRAM 2. 비휘발성 메모리 시장 전망 2-1. 대기업 참여 현황 II. 본 론 1. NiO 물
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
기술개발 현황 1)실리콘 반도체 태양전지 가)개요 나)실리콘 단결정 태양열 에너지 다) 다결정 실리콘 태양전지 라) 비 정질 실리콘 계 태양전지 마) 박막 형 태양전지 2) 화합물 반도체 태양전지 가) I-III-VI족(CIS)태양전
  • 페이지 47페이지
  • 가격 3,000원
  • 발행일 2010.05.31
  • 파일종류 워드(doc)
  • 발행기관
  • 저자
기술을 확보해라 2. 핵심 부품을 중심으로 사업 구조를 개편하라 3. 고객, 협력업체와의 네트워킹을 강화해라 4. 비선점 시장(Non-Captive Market)을 공략하라 5. 지속적으로 신제품을 개발하라 6. EMS(Electroic Manufacturing Service)를 활
  • 페이지 23페이지
  • 가격 4,000원
  • 발행일 2005.05.02
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
- 목 차 - 1. 서론 2. PLL / DLL의 기본개념과 동작원리 3. Phase Detector (위상검출기)의 기본개념과 동작원리 4. Loop Filter의 기본개념과 동작원리 5. Chage Pump (전하펌프)의 기본개념과 동작원리 6. VCO (전압제어 발진기)
  • 페이지 28페이지
  • 가격 3,000원
  • 발행일 2010.02.22
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
UCC(User Created Content)의 교육적 활용 7 (1) UCC의 개념 7 (2) 교육적 효과 9 (3) UCC의 문제점 10 III. UCC를 활용한 정보보호교육 콘텐츠 개발 12 1. 구현환경 12 (1) 제작도구 12 (2) 모둠학습 12 2. UCC활용 교육 콘텐츠 13 IV. 결 론 15 ※참고문헌 16
  • 페이지 16페이지
  • 가격 3,000원
  • 발행일 2010.01.18
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자

취업자료 52건

기술해 주십시오. . 1. 삼성전자 DS부문 입사를 결정한 이유와 입사 후 맡고 싶은 업무를 서술해 주십시오. 2. 지원 분야에 필요한 역량과 해당 역량을 발전시키기 위해 노력한 경험에 대해 서술해 주십시오. 3. 협업을 통해 난관을 극복한
  • 가격 19,700원
  • 등록일 2025.04.08
  • 파일종류 워드(doc)
  • 직종구분 일반사무직
. 특히, 반도체 공정은 미세한 변수 조정이 중요하므로, 세밀한 데이터 분석과 실험을 기반으로 최적의 솔루션을 도출하는 것이 필수적이라고 판단합니다. 2025 삼성전자 DS부문 메모리사업부-반도체공정설계 자기소개서 자소서 면접
  • 가격 3,500원
  • 등록일 2025.03.14
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 기타
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발: SK하이닉스는 PIM 기술이 적용된 ‘GDDR6-AiM’ 샘플을 개발했어요. 이는 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 제품으로, 머신러닝, 고성능 컴퓨팅, 빅 데이터의 연산과 저장에 활용될 전망입니다. CES 2024에
  • 가격 3,000원
  • 등록일 2024.03.22
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
기술 개발을 위한 발판을 마련하는 것이 중요하다고 생각합니다. 차량용 반도체는 향후 반도체 업계를 먹여 살릴 차세대 먹거리이고 정보화 사회에서 앞으로의 수요는 무궁무진하며 차량용 반도체를 선점한 자가 미래 반도체 시장의 주인이
  • 가격 2,000원
  • 등록일 2019.03.25
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 일반사무직
메모리 특성을 주고 이때의 cross-point bit 수를 계산 할 수 있겠는가? 41 우리 회사가 현재 차세대 메모리 개발로써 가고 있는 방향을 알고 있는가 ? 42 스마트 팩토리의 개념에 대해 설명해 보아라. 43 보일샤를법칙에 대해 설명하시오. 44 반도체
  • 가격 19,900원
  • 등록일 2021.12.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 기타
top