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전문지식 272건

PRAM(Phase change Random Access Memory) 1. 상변화 기술이론 2. PRAM 3. 국내의 기술개발 현황 Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) 1. FRAM의 도입 2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM 3. 전기분극 벡터의 중요성 4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM 5
  • 페이지 39페이지
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  • 등록일 2005.12.22
  • 파일종류 한글(hwp)
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Memory ........................page. 1 1-1. Operation Theory of the Phase Change Memory .......page. 2 1-2. The most promising Memory - PRAM ..................page. 3 2. The features of the Phase Change Memory ..............page. 3 2-1. The advantages of the Phase Change Memory .........page.
  • 페이지 7페이지
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  • 등록일 2010.01.13
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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및 재생 원리 3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory) (3.1) .PRAM(Phase change RAM), (3.2) .PRAM Basic Operation (3.3) PRAM (Writing) (3.4) PRAM READ (3.5) Key Technology of PRAM 4.국내외 기술개발 현황 5.해외 차세대 반도체 정보 6.결론 7.참고 문헌
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  • 등록일 2005.03.03
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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메모리 셀의 착안 등이 실현될 때 가능할 것으로 기대된다. III. 결 론 지금까지 설명한 것과 같이 MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다. FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소
  • 페이지 9페이지
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  • 등록일 2009.10.16
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소
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  • 등록일 2004.12.29
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논문 3건

memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론 1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory) 1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor) 1-2. PRAM (Phase change random assess memory) 1-3. MRAM (Magnetoresistive random
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  • 발행일 2009.06.15
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차세대 디스플레이로는 유기EL, FED, 3D 디스플레이 등이 있다. 유기 EL이란 전기 에너지를 빛으로 바꾸는 전환 매체로서 유기 물질을 이용하며, 발광 메커니즘으로서는 발광 다이오드에 가깝고, 정류 작용하는 것이다. 이것은 전력 소모가 적고
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  • 발행일 2007.10.10
  • 파일종류 한글(hwp)
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메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다. 4) 국내에서의 태양전지 사업은 웨이퍼 생산을 포함한 대규모의 반도체 생산설비와 전문 인력 및 공간을 이용하면 TFT-LCD, PDP 등 단말기에서와
  • 페이지 47페이지
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  • 발행일 2010.05.31
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취업자료 6건

1. 삼성전자 DS부문 입사를 결정한 이유와 입사 후 맡고 싶은 업무를 서술해 주십시오. . 2. 지원 분야에 필요한 역량과 해당 역량을 발전시키기 위해 노력한 경험에 대해 서술해 주십시오. . 3. 협업을 통해 난관을 극복한 사례와 협업 과정에
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  • 등록일 2025.04.08
  • 파일종류 워드(doc)
  • 직종구분 일반사무직
. 특히, 반도체 공정은 미세한 변수 조정이 중요하므로, 세밀한 데이터 분석과 실험을 기반으로 최적의 솔루션을 도출하는 것이 필수적이라고 판단합니다. 2025 삼성전자 DS부문 메모리사업부-반도체공정설계 자기소개서 자소서 면접
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  • 등록일 2025.03.14
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 기타
메모리 특성을 주고 이때의 cross-point bit 수를 계산 할 수 있겠는가? 41 우리 회사가 현재 차세대 메모리 개발로써 가고 있는 방향을 알고 있는가 ? 42 스마트 팩토리의 개념에 대해 설명해 보아라. 43 보일샤를법칙에 대해 설명하시오. 44 반도체
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  • 등록일 2021.12.15
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  • 직종구분 기타
차세대 메모리소자와 각 공정의 순서,장비,방법에 대해서 학습하였습니다. 그리고 진공,플라즈마를 사용하는 Dry Etch와 고집적화 etch에 필요한 ALE에 대해 공부할 수 있었습니다. 이러한 저의 8대공정과 진공 플라즈마에 대한 지식은 공정을 이
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  • 등록일 2025.04.06
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 전문직
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발: SK하이닉스는 PIM 기술이 적용된 ‘GDDR6-AiM’ 샘플을 개발했어요. 이는 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 제품으로, 머신러닝, 고성능 컴퓨팅, 빅 데이터의 연산과 저장에 활용될 전망입니다. CES 2024에
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  • 등록일 2024.03.22
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
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