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class Window1 extends JFrame implements ActionListener {
Process1 p[] = new Process1[100];
Cpu1 c1 = new Cpu1();
JButton jb1;
JTextField jtf1;
JTextField jtf2;
JLabel jspace;
JTextArea result;
JTextArea jta1;
String result_string = ("총 메모리 크기r :" + (c1.Memory.length-1)+
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메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRA
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기법의 정의 및 용도
제 2-2절. 2차 미분 에지 연산자
제 2-2-1. 라플라시안(Laplacian)의 정의
제 2-2-2. MFC를 이용한 라플라시안(Laplacian) 구현
제 2-3절. 1차 미분 에지 연산자
제 2-3-1. Sobel의 정의
제 2-3-2. MFC를 이용한 Sobel 구현
제 2-3-3. Prewitt의
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할당
N - Step SCAN
SSTF나 SCAN방법보다 응답시간 편차가 적음.
많은 수의 요구가 있을 때 지연 발생 가능성 제거.
가장 최근의 요청들이 SCAN보다 오래 기다림
에션바흐 기법
(eschenbach scheme)
특징:C-SCAN처럼 움직이나 모든 실린더는 요청이 있으나 없
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메모리 2개가 장래 제품화될 가능성 있는 유력한 불휘발성 메모리” 라고 하였다. STT-RAM는 고속이고, 상변화 메모리는 고밀도이다.
⑦ 일본 동북대 Ohno 그룹 & 캘리포니아 Santa Barbara 대학의 Awschalom그룹
GaAs 헤테로구조에 3-5족 자성반도체인 GaMn
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