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접지, 에미터접지, 콜렉터접지의 3가지가 있다. 트랜지스터회로에서는 일반적인 h파라미터를 다음과 같이 표시한다.
1. h11은 입력저항을 나타내므로 h11=hi로
2. h21은 hf로
3. h12는 역방향 전달전압비율이므로 hr로
4. h22는 출력어드미턴스이므로
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경우 출력신호전력
P_l
과 입력신호 전력
P_e (=V_e I_e )
와의 비율을 전력이득(power gain)이라고 한다. 즉
A_p == P_l over P_e
또 하나의 파라미터는 출력신호전력과 "입력신호원 v_s가 공급할 수 있는 최대 전력"과의 비율이며 이것을 변환이득(transducer
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콜렉터 궤환 바이어스
(1) 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로(=0)
(4) 콜렉터 궤환회로(가 존재)
실험 11. BJT 바이어스 회로 설계
(1) 콜렉터 궤환회로
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 전압분배기 회로 실험 10. BJT의 이미터 바이어스
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콜렉터가 접지된 것과 같은 기능을 하므로 공통 콜렉터 라한다.
직류이득은 입력 IB 이고, 출력이 IE 이므로 다음과 같다
직류 전류이득= { 출력전류} over {이력전류 } = { IE} over { IB}= { IB+IC} over {IB } =1+
.(.... )
C-E의 전류이득과 거의 같다.. 1.
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콜렉터 전압이득
(1)
(2)
트랜지스터의 교류 에미터 저항
(3)
직류 해석
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
3. 실험
3-1 실험부품
저항 : 100Ω, 33KΩ, 1KΩ, 10KΩ
커패시터 : 1uF, 10uF
트랜지스터 : 2N3906
3-2 실험절차
① P.87의 그림 10-2의 회로를 구성한다.
②
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