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트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향, 한국화학공학회
장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ.
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트랜지스터에서 npn형 트랜지스터로 바꾸면 트랜지스터 전류가 흐르는 방향이 반대가 되기 때문에 파워서플라이와 전류계의 극성도 바꿔주어야 한다. npn형, pnp형 트랜지스터로 바꿔서 실험해도 비슷한 값의 결과가 나왔다. 실험결과 전압을
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실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실험 준비물
4-2 실험 과정
4-3 실험 결과
5. 참고문헌
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실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실험 준비물
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5. 참고문헌
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락회로로 대치한다.
→
이 값을 토대로 직선을 그려 쇼클리 방정식 그래프와 교차하는 점이 동작점이다.
* 이므로 가 커질수록 기울기는 작아진다.
② 출력회로에서 KVL을 적용한다.
(2) 교류 해석
자기 바이어스 회로는 원하는 동작점을 설정
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