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을 측정하였다.
◎실험4. 특성곡선의 X축 그리기
① PSpice 시뮬레이션
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
< 특성 곡선의 X축 그리기 >
② 실험결과
컬렉터 전류 iC
컬렉터에미터 전압, VCE
베이스 전류
계산
측정
오차
계산
측정
오
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이 올라감에 따라 출력전압의 파형이 어떻게 변하는지 실험한다.
② Describe how do you solve the problem.
- 바이폴라 트랜지스터를 주어진 조건에 따라 설계하고, DVM과 오실로스코프를 통해 출력 전압을 파악한다. 그리고 BJT의 온도를 높여주는 것은
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트랜지스터를 포화상태와 차단상태로 만들고, 각각 와 의 값이 전압강하를 보이는 것을 통해서 포화상태와 차단상태가 되었음을 알 수 있었다.
마지막 실험은 오실로스코프를 사용하는 것이었기 때문에 오실로스코프에 파형을 보기 좋게 띄
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사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미터 고정전압 바이어싱
• 증폭기로서의 BJT
E3.1 전압 이득과 입력 저항
5. 고찰
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. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
1)트랜지스터 검사
2)트랜지스터 특성 측정
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로
데이터 엑셀화,실제 빵판 사진
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