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MOS 트랜지스터와 같도록 하여 단채널 효과를 피할 수 있다.
5. 참조
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000 1. 구조와 원리
2. MOS 정전용량-전압 분석
3. 증가형과 공핍형
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MOS 트랜지스터를 증가형(enhancement type)이라 한다. 이것에 대해서 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있다. 이
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MOS-FET의 작동
1. Accumulation mode(축적모드)
- 기판전압이 금속의 게이트 전압보다 놓을 경우이다.
- 금속 쪽이 -고, 기판 쪽이 +가 되어서, 절연층 근처 P형 반도체의 전자들이 밀려나고, 그 자리에 정공이 비교적 뭉쳐서 존재하게 된다.
- 그렇게
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용량화에 적합하지만, 일정 주기마다 기억 유지 동작이 필요하다.
ⓒ SRAM은 판독 기록이 간단하고, 고속으로 할 수 있는 이점을 갖고 있지만, 소비 전력이 크고, 집적도가 DRAM보다 상승하지 않는 결점이 있다.
㉡ ROM
ⓐ 레코드와 같이 한번 기억
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트랜지스터) 등 구동부를 휠 수 있는 유기화합물(OTFT)로 만든 것을 말합니다.
※참고자료
● 디스플레이산업의 소자별 규모와 디스플레이의 제조 원가 비교 Display의 종류
1. CRT(Cathode Ray Tube)
● CRT의 원리
● CRT의 구조
● CRT의 특성
● C
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