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크기가 달랐다.
=>직류 전원 장치의 출력값이 소수 첫째자리까지밖에 표시되지 않는다. 더 미세한 전압을 표현하는 직류 전원 장치를 사용하면 오차를 줄일 수 있을 것이다. 기초회로실험 옴의법칙 (예비)
옴의법칙_결과보고서
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실험 / David Buchla / ITC
설계 중심의 디지털 공학실험 / 우홍체, 박철형, 남세현 / 페이퍼백
ezcmm.blog.me/110165198994 - ‘부품’관한 정보 0. 개요 (프로젝트의 목적 및 필요성)
1. 설계 이론
2. 프로젝트 일정
3. 역할 분담
4. 프로젝트 예산
5. 참
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.
(5) 10[mA] 전류원에 100[Ω]을 연결하였더니 이 저항에 9.99[mA]가 흘렀고, 1[㏀]의 저항을 연결하였더니 9.9[mA]의 전류가 이 저항에 흘렀다고 하면 전류의 내부 저항은 얼마인가?
풀이=>
, , , Ω
, , . 1. 실험 목적
2. 내용 정리
3. 예비과제
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회로와 병렬 회로에 걸리는 전압과 전류 그리고 저항의 관계에 대해서 살펴보았다. 실험 과정은 처음에 조교님의 설명을 들어서 쉬운 실험 같이 느꼈지만 직접 해보니 실험 중간에 모르는 부분이 많고 실험 중 측정값이 잘 나타나지 않아 조
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회로로 인가해서 그 회로에서 pk-pk가 10[mV]의 전압을 만들었다. 그래서 그 전압을 4stage 회로에 인가해 줬다.
▣ 입력파형
< 10[mV]의 교류 입력전압을 인가 >
▣ 1stage 출력파형
< 86.3[mV]의 입력전압의 약8.6배의 전압을 출력 >
▣ 2stage 출력
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한다. 전압계와 다르게 측정되는 대상에서 전혀 전류를 취하지 않는다. * 예비레포트
[실험목표]
[실험 기구 및 장치]
[실험 배경 이론 - 램프회로]
[실험방법]
* 결과레포트
1) 실험사진
2) 회로도 및 측정결과
[결과 및 토의]
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회로구성(저항값 변경 : 100Ω 2w/ 결합케페시터 : 0.47uF 2개 병렬연결)
2) VB 측정
이론값 : 2.89V / 시뮬레이션 값 : 2.553V / 실험 값 : 2.929V(오차발생)
3) IE 측정
이론값 : 5.81mA / 시뮬레이션 값 : 5.63mA / 실험 값 : 5.499 mA
(오차발생)
4) 트랜지스터 Q1 을
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해석
(4) 제너다이오드 설명
(5) simulation을 이용한 설계
2. 필요한 부품 규격 결정
3. Transformer, Diode, Capacitor등 제품명, 제조회사명, 정격 등 표시
4. 예상되는 출력 파형 해석
5. Simulation을 통한 결과제시
6. 고찰 및 참고문헌
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실험값)
SC
SE
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
1
1
0
표 8-6E 4비트 2진 가산
Binary:
A plus B plus C0 = sum
Decimal:
A+B=S
A3A2A1A0
B3B2B1B0
C0
C4
S3S2S1S0
1
1010
0101
0
2
1010
0011
0
3
1111
0110
0
4
1111
1111
0
표 8-7E. 4비트 2의 보수 감산기
Binary:
A minus B = difference
Decimal:
A-B=D
A3A2A1A0
B3B2B1B0
C
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회로에서 우측 상단 다이오드를 제거하고, VO와 VR3값을 측정하라. 이 결과를 위 계산값과 비교하라.
VO (측정값) = 1.35 V
VR3 (측정값) = 2.96 V
7. 컴퓨터 실습
Pspice 모의실험 3-1
Pspice를 이용하여 아래 회로를 해석하라. 이 결과를 2(f)에서 측정한 값
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