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→ +100uA
IB가 100uA일 때 IC가 2mA라 가정하면…
컬렉터 전류 : 2mA → 3mA → 2mA → 1mA → 2mA
VC = VCC - VRL
VRL = ICRL
* 바이어스 방법과 안정화
*이미터 바이패스 캐패시터
* 위상관계
3) 시뮬레이션 결과 1)실험 목적
2)관련 이론
3)시뮬레이션 결과
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회로에서의 계산을 편하게 할 수 있다. 실험에서 알 수 있었던 것과 같이 전원을 따로 따로 생각하여 구한 값의 대수적인 합으로 원래 회로에서의 전류, 전압 값을 구할 수 있었다. 중첩의 원리
예비 보고서
1. 실험 목적
2. 이론
3. 실
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≫ ≪ 그 림 ≫ 4장 예비 레포트…………………………………5p
Ⅰ. 배경 이론
Ⅱ. 설계 실습 계획
Ⅲ. 결론
4장 결과 레포트…………………………………5p
Ⅰ. 실험 목적 및 동기
Ⅱ. 설계실습내용 및 분석
Ⅲ. 결론
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실험 4 : 연산증폭기의 A/D 변환기와 D/A 변환기들의 입, 출력 파형을 log 해서 얻은 데이터를 Excel에서 불러서 그래프로 출력하시오
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰 사항
1.Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II
로
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예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
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파형은 비교가능하나 정밀하게 비교하기가 조금 어려운 면이 있었다. 1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험 소자 측정
■ 실험회로 1 : BJT B급 전력증폭기 회로
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
4 Post-Lab(실험 후 과정): 검토 및
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실험회로 2 : 반파 정류 회로 측정
1) 실험절차에 따라서 함수발생기와 오실로스코프로 입, 출력 파형을 측정하시오.
2) 반파정류 회로 측정 전압 범위:
- 함수발생기: 주파수 1kHz, 첨두간전압 Vpp = 5V
3) 반파정류 회로 측정 결과 파형을 출력하시
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회로에서 가변저항을 분리한다. 이제 가변저항을 저항계로 측정한다.
이 응용문제에 대해서 다음 과정을 수행하여라.
앞에서 설명한 최대 눈금편향 방법을 사용하여 이 실험에서 사용한 10㎃ 전류계 의 내부저항을 결정하여라. 비록 10㎃ 계
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하나를 COM에 놓는다. 측정범위는 220V보다 큰 범위부터 점점 줄여가며 측정을 한다. 콘센트의 단자사이의 전압을 측정하도록 한다. 110V, 220V는 고전압이므로 감전에 주의하여 실험을 하도록 한다. 1. 목 적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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예비과제
(1) 저역통과 필터인 <그림 20.2(a)> RL 직렬 회로의 전달 함수 H, 그 크기 H 및 위상 , 3dB 주파수를 유도하고 그 결과가 <그림 20.2(b)>, <그림 20.2(c)>와 같음을 보여라.
- 이고, 이므로 회로의 전달 함수는 이고, 시정수 이다. 따
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