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상태를 만듬 (donor전자들 사이의 간섭이 없다).
축퇴 반도체 : donor(or acceptor)전자의 농도가 증가함에 따라 도너상태 밴드는 확장되어 전도대 하단과 겹침 , Fermi 에너지는 전도대 내부에 존재. 1. 평형상태의 전자와 정공분포
2. 진성 캐
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반도체 PN접합에서 열평형, 순바이어스, 역바이어스 인가시 발생하는 상황에 대하여 설명하라. (공핍층(공간전하층), 전위장벽(built-in potential), 순전류, 역전류 등의 내용 언급. ※역파괴현상은 포함하지 않음)
pn 접합면이 평형상태에 도달하게
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반도체표면과 기체와의 상호작용에 의해 표면전도 전자의 밀도변화에 따른 소자의 저항변화
~50ppm
~5%
가정난방 및
공해측정
탄화수소계
가스센서
표면전도전자의 밀도변화 또는 벌크내의 결정상태변화에 따른 전도변화
~50ppm
~5%
주택난
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평형 값으로 공간전하폭이 줄어들기 위해 요구되는 시간의 길이
Turn-on의 두 번째 단계: 소수캐리어 분포가 확립되는 데 필요한 시간
6. 터널 다이오드
터널 다이오드란 n 및 p영역이 모두 변질(degenerately)되게 도핑된 반도체로 된 pn접합 pn접
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반도체 결정
T= 0 K, VB: 전자로 충만, CB: 비어있음
에너지 (열, 빛, etc.) 에 의해 VB 전자 →로 이동 : 전자-정공 쌍(EHP : Electron-Hole Pair) 생성(generation)
자유전자 수 = 정공 수
평형상태에서 일정한 자유전자와 정공의 수를 유지 : generation = recomb
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