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플로팅되어 인버터의 출력이 Y와 비 연결 상태가 된다. 그림 3.4에서 3상태 인버터의 동작은 제어입력 G가 1이면 통상의 인버터 동작이고, 0이면 출력은 고 임피던스(Hi-z)가 되어 개방상태가 된다. <결과>
3. 오픈컬렉터와 3상태 버퍼/인버터
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게이트(control gate)에 VG>VT>0인 바이어스가 걸리면, 전자들은 실리콘/게이트 산화막의 경계면 쪽으로 이끌리게 되며 플로팅 게이트 아래에 n채널이 형성된다. 소스/드레인 으로부터 온 전자들은 이 채널을 통해 이동할 수 있으며 전기적인
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플로팅(floating)되어 인버터의 출력이 Y와 비 연결 상태가 된다. 그림 3.4에서 3-상태 인버터의 동작은 제어입력 G가 1이면 통상의 인버터 동작이고, 0이면 출력은 고 임피던스(Hi-z)가 되어 개방 상태가 된다.
①플로팅 : 허공에 뜨다, 아무것도 연
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ce, drain contact에 coupling된다. drain 전압이 가해지면 electron은 두 개의 tunneling junction과 island를 통해 tunneling된다. 이때, source, drain은 동일하고, T=0이라고 가정한다.
그림 6.10b는 평형상태 밴드 프로파일(equilibrium band profile)을 나타낸다. T=0에서 Fermi
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ce, drain contact에 coupling된다. drain 전압이 가해지면 electron은 두 개의 tunneling junction과 island를 통해 tunneling된다. 이때, source, drain은 동일하고, T=0이라고 가정한다.
그림 6.10b는 평형상태 밴드 프로파일(equilibrium band profile)을 나타낸다. T=0에서 Fermi
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