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회로
2. 반도체 소자
나. 콘덴서
번 호
전자과
1학년 3반 번
일 시
2009년 11월 09일 (월) 10 교시
이 름
형 성 평 가 문 제
전해콘덴서
마일러콘덴서
세라믹콘덴서
탄탈콘덴서
정전 용량:
정격 전압:
허용 오차:
형 성 평 가 답 안
제 목
Ⅰ. 반도체
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과정을 쉽게 이해할 수 있었다.
(5) 예비보보서 문제 5에서 구한 전감산기를 구성하여 동작 결과를 확인하라.
◎ 전감산기
전감산기(FS : full subtracter)는 두 자리 이상의 2진수를 계산할 수 있는 회로이다.
《예비보고서에서 구성한 전감산기》
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회로를 구성하여라. 과정 ~와 같은 방법으로 전압을 측정하여라.
(2) 전류회로
동일한 값을 갖는 3개의 저항을 아래 그림처럼 연결하여라. 연결선을 사용하여 + - 극성에 주의하여 배터리를 연결하여라.
멀티미터를 전류 측정모드로 설정하고
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회로
→ 시뮬레이션 결과를 통해, 를 증명 할 수 있었다.
3) 전류 증폭기
(1) 그림 2-7의 회로를 연결하라.
(2) 입력 전류가 0.1mA가 되도록 가변저항을 조정하라.
(3) 출력 전류를 읽어 표 2-3에 그 값을 기록하라.
(4) 입력 전류를 변화시키며 과정을
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회로를 구성하라. 이상의 과정을 성공했다면 회로도를 그려라. 만약 직렬이나 병렬로 회로의 특성을 표현할 수 있다면, 이 실험의 회로도를 그려라. 만약 직렬이나 병렬로 회로의 특성을 표현할 수 있다면, 이 실험의 회로는 어떤 것인가? 3개
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과정은 완료되고, 카운터에 저장되어 있는 2진수 Va의 디지털 값으로 주어진다.
⑧ 카운터는 시작 pulse가 새로운 변환을 유도할 때까지 이 값을 계속 유지한다.
(5) 위의 4에서 설계한 각 회로에 대해 resolution, accuracy 및 linearity를 이론적으로 계
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회로에서 가변저항을 분리한다. 이제 가변저항을 저항계로 측정한다.
이 응용문제에 대해서 다음 과정을 수행하여라.
앞에서 설명한 최대 눈금편향 방법을 사용하여 이 실험에서 사용한 10㎃ 전류계 의 내부저항을 결정하여라. 비록 10㎃ 계
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회로를 구성하고 저항만 교체하며 파형을 비교하는 과정으로 진행하였다.
실험결과 R1의 변화는 전압의 크기에 변화를 가져왔고 또한 회로의 발진주파수에도 영향을 미치는 것을 볼 수 있었다. 저항을 증가시킴에 따라 주기가 길어져 주파수
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과정 및 결과예측
(1) 그림4-3과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력값을 측정하라.
(a) NAND 게이트 회로 (b) Invert OR 게이트 회로
(c) Invert AND 게이트 회로 (d) NOR 게이트 회로
그림4-3 드-모르간의 정리를 증명하기 위한 실험회로
(2) 그림4-4
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회로에서 가장 기본적인 RLC회로의 설계를 통하여, 나중에 더 복잡한 회로를 설계할 때, 지금과 같은 설계 과정과 시뮬레이션을 통하여 오차를 거의 없는 정확한 설계를 할 수 있을 것이다. 제어 공학의 이론을 실제로 확인해 볼 수 있는 좋은
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