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회로
RC 필터에서
omega `R`C ``<<``1``
인 경우를 생각해 보자. 식 (23)에서
phi``approx ``pi / 2``
이 되고, 식 (24)의 vR은
v_R (t`)``approx`` V_p ``omega `R`C ``sin (omega `t + pi over 2`)``=`` `R`C` ``omega `V_p`cos omega `t ``=`` `R`C {d`v(t`)} over dt
(31)
이 되어 입력신호의
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t)+L (di(t))/dt+v(t)=e(t) (수식 1) 이때 축전기에 흐르는 전류는 수식 2와 같이 나타낼 수 있기 때문에 수식 2를 수식 2에 대입하면 수식 3과 같은 2차 미분 방정식을 구할 수 있다.
i(t)=C (dv(t))/dt (수식 2)
LC (d^2 v(t))/(dt^2 )+RC (dv(t))/dt+v(t)=e(t) (수식 3)
이
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D
O
0
X
0
1
0
0
1
1
1
(로직웍스에 74125는 Buffer-1 T.S 로 있는데 인에이블 단자에 동그라미가 빠진 74126을 찾지 못해서 로직웍스로 나타내지 못했습니다.)
시뮬레이션
회로
결과
7400 IC 핀 배치도를 참조하여 4개의 게이트 중 3개를 선정하여 그림의 NAN
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회로에서
따라서 합성 4단자망의 어드미턴스 파라미터는
이것으로부터 다시 4단자 정수를 구하면
(대칭회로이기 때문에)
반복 파라미터
11-14[답] 9 [Ω]
11-15[답] A=D
11-16에서, 대칭 T형 회로에서는 이므로 이고 회로에서
[Ω]
[Ω]
11-17(1) 4단자 정
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D)의 파형을 비교 관측하여라.
<표 14-4 비동기식 10진 카운터 계수 동작표>
클록 펄스 인가수
D
C
B
A
클리어(CLR)
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
0
1
1
4
0
1
0
0
5
0
1
0
1
6
0
1
1
0
7
0
1
1
1
8
1
0
0
0
9
1
0
0
1
10’
1
0
1
0
10
0
0
0
0
11
0
0
0
1
5. 참고자료
① TTL응용 실
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D1 0 2 D1N4002
D2 2 3 D1N4002
.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
◎클램핑회로
.op
.TRAN 0.1MS 10MS
VS 1 0 pulse(-1V 1V 0 0.01ps 0.01ps 1ms 2ms)
d 2 0 D1N4002
c 1 2
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회로가 증폭기로서 동작할 때 전압이득은 얼마인가?
(a) -10 (b) -1
(c) 1(d) 10
⇒ 회로가 증폭기로서 동작할 때는 Rf/Rs의 전압이득을 가지고 증폭기로서 동작하므로, -22㏀/2.2㏀=-10의 전압이득을 가지게 된다
3. 그림 31-1B의 회로가 적분기로서 동작
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회로 가 되게 한 후 1[kHz]와 100[kHz]에 대하여 2 현상 오실로스코프로 각 부분(Cp, A, B, C)의 파형을 비교 관측하여라.
<표 15-3 리플 캐리 카운터 출력상태>
클록 펄스 인가수
D
C
B
A
클리어(CLR)
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
1
0
1
4
0
1
1
0
5
1
0
0
1
6
1
0
1
0
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d) 10mA
⇒ 의 공식을 토대로 이 값을 대입해 보면 약 2.14mA가 나옴을 알 수 있다.
3. 그림 21-1의 자기바이어스 회로에서 IDSS=10mA이고 gm0=5000㎲이면, 게이트-소스간 전압은 대략 얼마인가?
(a) 1V(b) 2V(c) -1V(d) -2V
⇒ VGS=VG-ID×RS 을 이용하여 이 문제를
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회로로 대체할 수 있다.
Finding the NOR-NOR Circuit
① 다음으로 할 일은 진리표의 동작을 하는 NOR-NOR 회로를 구성하는 것이다.
② 드모르간의 제 2 법칙()은 NAND 게이트를 bubbled OR 게이트로 대체할 수 있음을 보인다.
- 그러므로 Fig. 15-1d를 Fig. 15-2a로
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