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회로
그림7.3 전류원
rm I_s
의 방향이 반대인 회로
전압
rm V_1
만 동작하는 경우 전체전류
rm I_T
는
rm I
와 같다.
rm I = V_1 over {R_1 + {R_2 R_3} over {R_2 + R_3}}
가 된다.
전류원
rmI_S
만 작동하는 경우 전체 전류
rm I_T
는
rmI_S
이고 저항
RM R_1
에 걸리는 전
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회로를 구성하라. VO 가 정확히 1.0V 가 되도록 R2 를 조정한 다음 R2 를 회로에서 분리한 상태에서 저항값을 측정하라. R1 과 R2 의 측정값으로부터 직류전원 VS 의 내부 임피던스, RS 를 계산하라. 마지막으로 분압기 자체를 전압원(출력전압은 1V
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T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,, 실험치 : 80%
1. 3) 다이오드 삽입 h와 L를 컨트롤 R R를 가변저항으로 (둘중하나)
50% 다이오드 삽입(병렬) R와 R를 1:1 비율 [즉, R(6.8)=R(6.8)]
30% R=3.3K R를 줄이면 떨어진다.
2. 2)
2. 3) tnigh
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회로를 연결하여 출력을 확인하시오.
회로를 설계하고 시뮬레이션 해보면 다음과 같다.
진리표로 부울함수를 구하고 이를 회로로 구성한다. s1과 s2 두개의 선택변수와 D3~D0까지의 입력으로 출력 y가 정해진다. 선택변수에 따라 y에 출력되는
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D0
0
1
D1
1
0
D2
1
1
D3
(b) 표시기호(c) 기능도
그림 1 4-to-1 멀티플렉서
그림2 4중 2-to-1 멀티플렉서
(a) 회로도 (b) 진리표
A
B
C
F
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
D0
D1
D2
D3
A바
0
①
2
③
A
4
⑤
⑥
7
0
1
A
A바
(c)회로 구현용 표
그림 3 멀티플
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결과
3.7 Encoder/Decoder 의 실제 파형
3.8 Encoder의 실제 파형
3.9 Decoder의 실제 파형
4.1 적외선 Transceiver (HSDL-3000)
4.2 HSDL-3000
4.3 Transceiver의 실제 동작
5.1 사용한 소자와 부품
5.2 OrCAD로 작업한 전체 회로도
5.3 완성된 회로
결 론
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D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-3 : V=9.5.2=4.75V ,, V=19/2=9.5V
4 - 3 : 빛을 받으면 저항이 작아지고, 빛을 가리면 저항이 커진다. 실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 예비 보고서
▶ 실험의 목표
▶ 실험 이
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회로를 초기화 시키기 위해 SimInit 버튼을 클릭한다.
[2] 각 소자의 출력값을 보기 위해 showOutput 버튼을 클릭한다.
[3] T 버튼을 클릭하여 회로의 동작모드를 toggle 모드로 설정한다.
[4] 이 회로는 4비트 이진병렬가산기 2개를 이용해 구성된 BCD 가
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회로를 구성하면 된다. 이때 측정 대상체에 접촉한 온접점(Hot Junction)인 Th이 감지한 온도가 나머지 접점인 기준 접점(Reference Junction)인 Tr과의 온도 차이만큼 열기전력 Ｖ를 발생시킨다는 것을 알 수 있다.
※ 참고문헌
원오윤 외 ‘센서제어공
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회로
그 밖의 동작 원리는 고정 바이어스 회로와 거의 비슷하다.
III. 결론
이와 같이 JFET는 FET의 한 종류이며 게이트(G), 드래인(D), 소스(S)의 단자로 구성되어 있고 N채널형과 P채널형으로 나뉜다. 기본적인 구조는 소스와 드래인은 채널에 연결
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