|
정리하면 다음과 같다.
3. 전기에너지와 자기에너지의 진동
주어진 시간 에서 회로에 저장된 전기에너지와 자기에너지는 다음과 같이 나타낼 수 있다.
이때 이며 이므로 식과 식은 아래와 같이 변형시킬 수 있다.
이때 식에 의 값을 대입하
|
|
|
이론적으로만 알고 있을 뿐 실험적으로 입증해본적은 없었는데 이번 실험을 통해 입증하게 된다.
앞 실험인 중첩의 정리에 비해 간단한 실험이었다. 먼저 회로를 구성한 후 등가전압과 등가저항을 측정 할 수 있었고 계산을 통해 계산 값과
|
|
|
저항이 R3와 직렬이 된다.
테브난 등가전압과 테브난 등가저항의 값을 구하였으므로 부하가 걸려 있는 테브난 등가회로를 그림으로 그릴 수 있게 되었다. 울타리 안에 전압원과 직렬저항이 테브닌 정리에 따라 계산해서 그려낸 테브난의 등
|
|
|
이론과 실제 간의 간극을 이해하는 데 매우 유용했다. 셋째, 다양한 값을 가진 R과 C를 활용하여 시정수의 변화를 관찰함으로써 각 요소가 회로 성능에 미치는 영향을 명확하게 알 수 있었다. 예를 들어, 저항이 클수록 시정수가 커진다는 사실
|
|
|
이론적 결과는 현실적으로는 불가능하기 때문에 오차가 생긴 것이다.
4-2 실험결과에 관한 고찰
이번 중첩의 원리를 알아보는 실험은 이전의 테브난의 정리에 사용되었던 무려 5개의 저항보다 2개 적은, 3개의 저항만을 이용하여 회로를 구성
|
|
|
회로도와 실제 회로도가 일치하였다. 이 실험을 통해서 저항값과 전압, 전류값을 측정하는 법을 배웠고 이론값과 실제 측정값에는 조금의 오차가 있었음을 알 수 있었다. 그 이유는 전선 및 DMM내부의 미세한 저항 때문이라는 것도 알 수 있었
|
|
|
회로分析 도서나 논문의 목록을 제시한다. 이러한 자료들은 전류 미러의 이론적인 배경과 MOSFET의 동작 원리를 더욱 깊이 이해하는 데 큰 도움이 된다. 두 번째로, 실습 과정에서 발생할 수 있는 일반적인 오류와 그 해결 방법을 정리한다. 회
|
|
|
회로의 장점이다. 모든 2차 전압값이 정류기의 입력으로 사용되어지는 것이다. 반파정류기의 경우 2차 전압값의 반이 정류기의 입력으로 사용된다.
2. 고찰
반파정류기는 다이오드 극성에 순방향일 때만 출력이 나오므로 해당 극성만 출력이
|
|
|
회로의 과도상태 출력값의 변화속도를 결정. 은 일 때
가 됨을 알 수 있다.
- 이 시간을 RL회로의 시정수라고 부르고 로 표기한다.
- 아래 그래프는 와 의 그래프이다. ▣ 실험 목적
▣ 실험 이론
⑴ RC 회로의 과도응답
(2)RL회로의 과도응
|
|
|
시 직렬연결임을 이용하여 그 값을 측정하였다. 이번 실험을 통해 이론만으로 알고 있던 테브난 정리와 노튼 정리를 직접 회로에 적용할 수 있었고 이 뿐만 아니라 전압 분배의 법칙, 전류 분배의 법칙도 실험을 통해 확인할 수 있었다.
|
|
메뉴펼치기
