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목적
2. 이론
1) 노턴의 정리
2) 노턴의 정리의 적용
3)노턴의 정리 적용하는 방법 요약
3. 사용 계기 및 부품
4. 실험 방법
1) I(N)과 R(N)의 측정
5. 문제
6 참고문헌
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(3), (4)를 반복
4. 참고 자료
(1) 기계계열공학도를 위한 전기전자의 기초
- 안휘웅, 박희두, 신민생, 이충환, 박지호 공저 - 북두 출판사 1. 실험 목적
2. 관련 이론
(1) Thevenin의 정리
(2) Norton의 정리
3. 실험 방법 및 절차
4. 참고 자료
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이론과 실제를 연결하는 중요한 경험이 된다. 부록에서는 추천 부품 리스트와 회로도 예시, 그리고 시뮬레이션 프로그램 사용법을 상세히 설명하여 독자가 효과적으로 실습을 진행할 수 있도록 돕는다. 다양한 실험을 통해 BJT와 MOSFET의 특성
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회로에서의 파형 변화를 분석하고, 주파수 변화에 따른 반응을 살펴본다. RLC 회로에서의 공진 현상과 같은 복잡한 행동도 분석하며, 레오필의 법칙 등에 대한 이론적 배경을 바탕으로 실험 데이터를 정리한다. 최종적으로 각 소자의 특성을
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저항을 접속하여 이 저항에 흐르는 전류를 측정하여 기록하라.
(7) 그림 8-8회로를 구성하고 R1, R2, V1, V2, 를 표 8-3에 지시한 대로 바꾸어 a, b양단의 전압 Vab를 측정하여 기록하라.
3. 이론
- 노튼 정리 : 개방된 두단자 a,b로부터 임의의 회로망을
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저항(390Ω, 560Ω, 1.2kΩ, 1.8kΩ(1/2W), 10kΩ(2W))
<<그림>>
2. 실험 기본 이론
1) 노턴의 정리(Norton’s theorem)
어떠한 구조를 갖는 능동 회로망도 그 임의의 두 단자 a,b 외측에 대해서는 이것을 등가적으로 하나의 전류 전원에 하나의 임
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이론식에 의한 결과값과 회로를 제작하여 ELVIS프로그램으로 구현된 실험값의 오차를 비교해보면 대략 4%~17%의 오차가 발생된 것을 확인할 수 있다. 이 오차의 원인으로는 첫 번째로 이론식에서는 포함하지 않는 실험 장치들의 고유한 저항 때
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회로는 반드시 전원을 차단한 상태에서 구성한다. 구성이 완료되면, 잘못된 점이 없는지 확인하고 전원을 인가한다.
실험 장비와 시설은 공동으로 사용하므로 사용 후에는 원래 상태로 정리한다.
실험 보고서는 결과를 나열하기보다 이론과
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이론값
VRE (V)
9.5
9.3
IC IE (mA)
1.97
1.94
VRC(V)
7.0
5.82
VCE(V)
4.1
3.4
① ② ③
④ ⑤ ③
5. Analysis
점이 직류 부하선상에 있지 않으면 파형의 왜곡현상이 나타난다. 트랜지스터 바이어스 회로에는 베이스는 회로구성이 간단하지만 동작점이 온도에 민감
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저항 을 제거한 상태에서 두 단자 A와 B사이에 나타나는 전압을 측정하면 된다.또한, 전압원을 단락시킬 때 전압원 내의 내부저항은 0을 가정하였으므로 오차가 발생할 수밖에 없다. 1. 실험 목적
1. 실험 이론
1. 실험 도구
1. 실험 준비 보
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