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쇼트키 현상으로 실험에서 확인 해 볼 수 있었다.
극판전압 (+극 전위)가 높아지면 금속 주변에 점점 더 강한 자기장이 형성되고 전자에 작용하는 인력이 점점 더 커지므로 전자가 더 쉽게 방출될 수 있기 때문이다.
전자를 방출시키는데 필요
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효과에 의한 barrier 높이의 저하가 고려되어서 역방향 특성이 비 포화특성을 설명할 수가 있다.
IF = IS exp(qVF / nkT) <식-2>
IR = IS exp(qVB / kT) <식-3>
IS = SA-KT2exp(q B / kT) <식-4>
= (qE/4 fS)1/2 <식-5>
E = (2qND(VR+Vd)/ S)1/2 <식-6>
Where, IF :
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효과,쇼트키 효과의 현상이 있음.
*.터널효과:강한 전기장을 가하면 전위 곡선의 경사가 급해지고 장벽의 두께가 얇아져서 전자가 방출되는 현상.
*.쇼트키 효과:열전자를 방출하고 있는 상태의 금속에 전기장을 가하면 방출 효과가 높아지는
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는 전자, 정공을 반도체 안에 형성시킨 내부 전계를 사용해서 서로 역방향으로 분리시키면 커다란 광 기전력 효과(Photovoltaic effect)가 얻어지는데 내부 전계를 형성하기 위해서 PN 접합, 쇼트키 장벽 등이 사용된다. 광에서 전기 에너지로 변환
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효과를 이용하는데, 금속 스트레인게이지의 게이지율이 약 2인 것에 대해 반도체 스트레인 게이지의 게이지율은 100~200으로 그 값이 아주 크다, 피에조 효과는 반도체의 재질, 전도형, 캐리어 게이지는 임의의 구조물이나 기왜체 등에 부착해
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