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쇼트키 현상으로 실험에서 확인 해 볼 수 있었다.
극판전압 (+극 전위)가 높아지면 금속 주변에 점점 더 강한 자기장이 형성되고 전자에 작용하는 인력이 점점 더 커지므로 전자가 더 쉽게 방출될 수 있기 때문이다.
전자를 방출시키는데 필요
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전자 방출:전기장의 강도에 따라 방출.온도:무관
o.터널 효과,쇼트키 효과의 현상이 있음.
*.터널효과:강한 전기장을 가하면 전위 곡선의 경사가 급해지고 장벽의 두께가 얇아져서 전자가 방출되는 현상.
*.쇼트키 효과:열전자를 방출하고 있는
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방출된 에너지가 갖는 에너지는 입사된 에너지에서 일함수 W를 뺀 값으로 다음 식으로 주어진다.
E=mυ2/2 =hf-W (2-10)
일반적으로 전자의 일함수는 열전자의 일 함수보다 큰 것이 보통이나 그 방출 기구는 복잡하다.
그림 7. 광전자 방출효과
(6)
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2. 각 부분별 작동원리
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전자가 jumping할 수 있는 임계 에너지 이상의 빛이 입사되어 광전효과를 통해 열전자가 방출될 때 예민하게 확인할 수 있다고 생각하기 때문이다. 즉 회전축의 속도를 계산하기 위해 필요한 펄스를 정밀하게 측정할 수 있는 것이다.
빛을 받는
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