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나는 원인
1) 전자의 수와 에너지 밴드갭(electron energy band gap)
2) 페르미 에너지(Fermi energy)
3) 금속의 경우
4) 반도체와 부도체의 경우
3. 온도 변화에 따라 각각의 재료의 전기 전도도의 변화 경향 및 그 원인
1) 금속
2) 반도체
4. 출처
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Fermi에너지 준위를 진성 Fermi 에너지 EF=Efi
(Eg : 밴드갭 에너지)
따라서 진성 캐리어 밀도 이다.
옴의 법칙에 의해 이고 드리프트 전류를 일반화하면
다시 정리하면 = = = 5.075 × 1015/m3
15.
14번과 마찬가지 방법으로
= = = 3.12 × 1021/m3
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에너지 분포식
에너지 준위 E와 E+△E 사이에 분포하는 단위 체적당 전자의 수는 다음과 같이 계산한다.
△n=N(E)f(E)△E =
8π√2[m2/3/h3]E1/2E
(식8)
exp[(E-Ef)/kT]+1
(Fermi-Dirac energy 분포식)
여기서 Ef는 Fermi energy이며 전체 자유전자밀도를 N이라고 하면
∑
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페르미에너지(Fermi Energy)
- 고체내에서가장약하게속박되어있는전자의에너지준위.
- (절대온도영도(0[K])에서가장밖의전자(가전자)가가지는에너지높이)
<<그림>>
페르미준위는고체의종류에따라일정한값을갖으며,고체의온도가올
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성질을 가지고 있는데 그 성질 중에는 전기전도도를 포함하여 비저항, 비저항 온도계수 등 여러 값이 다른 차이를 보인다. 1. 고체의 전기적 특성
2. 결정 고체의 에너지 준위
3. 절연체
4. 금속의 전도
5. 점유확률과 점유상태밀도
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