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1을 충전시킴으로써 정류기 D1에 양의 선전압의 피크치의 2배가 공급되도록 한다.
4. 실험 결과 및 분석
1) 커패시터 필터를 사용한 변압기결합 전원장치실험과정
부하
Vout[V]
리플
IL[mA]
파형
Vp-p(V)
2
None
18.6
2.2
X
4
250
15.8
4.6
59
6
250
14.5
6.6
54
분석
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, 다음 시간에 더욱 심화된 내용을 배우고 실험까지 하게 되면 이 기계, 오실로스코프에 대해 더 잘 알게 되어서 주파수에 관한 실험을 할 때 많이 활용할 수 있을 것이다. 1. 목적
2. 이론 및 실험방법
3. 결과
4. 고찰 및 검토
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0에 가깝게 나왔으며, 저항 값을 아무리 조절해도 듀티 사이클이 50%이하로 감소하지 않았다. 그 이유는 이론적인 식인 에서 를 0이라고 가정하여도 듀티사이클이 50%이하로는 감소할 수 없기 때문이다. 1. 실험 결과 – 시뮬레이션으로
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0.14-0.13= 0.01
충돌 후 운동량
X: mAvAcos25˚+mBvBcos48˚= 0.19+0.13= 0.32
Y: -mAvAsin25˚+mBvBsin48˚= -0.090+0.15= 0.06
충돌전 운동에너지
A: ½mAvA²= 0.073J, B: ½mBvB²= 0.066J
충돌후 운동에너지
A: ½mAvA²= 0.057J, B: ½mBvB²= 0.044J
∴f= 0.101/0.139= 0.73
<두 번째 실험-공기 흐
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오실로스코프에 CH1, CH2를 각각 연결 후 주파수를 바꿔가면서 주파수 응답특성을 확인한다.
10. 시간 응답 회로에서 과도상태를 얻기 위해서 스위치를 사용하였으나, 실험상에서 스 위치를 사용할 수가 없다. 따라서 스위치 없이 반복적인 과도
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실험을 통하여 OP AMP 소자가 비이상적이지만 어느 정도 회로이론이나 전자회로 시간에서 배웠던 특성을 눈으로 확인할 수 있었다. 특히 반전 증폭기에서 입력과 출력 값의 차이에서 그 엠플리튜드는 증가하고 위상은 180도 차이가 나는 것을
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000 전력증폭기용 고성능 GaN HEMT 소자 기술 개발
정보통신연구진흥원 ㆍ 정보통신정책연구원
IMT-2000 전력증폭기용 고성능 GaN HEMT 소자 기술 개발
정보통신연구진흥원 ㆍ 김효진
차세대이동통신기술(IMT-2000)발전동향분석및정책방향연구 1
정
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실험교재 편집회, 일반 물리학 실험, 淸 文 閣 ; 2-3.～2-9.
⑵ 한국 물리학회, 일반 물리학 실험, 교 문 사 ; p.79～81.
⑶ 최성수 외 5인 저, 일반 물리 실험, 淸 文 閣 ; p.17～22. 1.제목
2.날짜
3.조원
4.실험목적
5.실험원리
6.실험방
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04
10.01V
3.76mA
15.34A
245
2N4401
10V
3.82mA
17.52A
218
f. 표 9.4의 데이터를 이용하여 의 % 변화를 계산하라. 순서 2(e)에 있는 식 (9.1)을 이용하고, 계산한 결과를 표 9.5에 기록하라.
%
%
%
%
11.02
1.59
0.1
14.21
<연습문제>
a. 그림 9-1의 고정 바이어스회로에
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측정하여 그 부피를 구하는 실험을 생각해 보자. 이들 데이터를 이용하면 1,000개의 부피에 관한 데이터를 얻을 수 있고 이로부터 평균값과 표준편차를 구할 수 있다. 그러나 보다 합리적인 방법은 가로, 세로, 높이에 대한 각각의 평균값들을
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