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물리학/일반물리학교제편찬위원회/북스힐
- 일반물리학실험/건국대학교물리학과,광전자물리학과/북스힐 1. 실험일시
2. 실험제목
3. 조, 조원
4. 실험목표
5. 실험원리
6. 실험기구 및 장치
7. 실험방법
8. 실험결과
9. 토의
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실험에 임하기 전 예비보고서를 다시 자세히 읽고 실험에 임한다면 좋은 결과 있을 것 같습니다.
5. 참고 문헌 및 출처
출처: 위키 백과 [http://ko.wikipedia.org/]
네이버 백과 사전 [http://100.naver.com/]
일반물리학실험 예비보고서
전자측정 연습
작성
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실험 결과
1)키르히호프의 전류법칙(KC
계산값
측정값
비교
Rt
1.28 (KΩ)
1.26 (KΩ)
0.02
It
3.90 (mA)
3.92 (mA)
0.02
I₁
3.90 (mA)
3.93 (mA)
0.03
I₂
2.29 (mA)
2.30 (mA)
0.01
I₃
0.54 (mA)
0.53 (mA)
0.01
I₄
1.08 (mA)
1.07 (mA)
0.01
V₁
3.90 (V)
3.91 (V)
0.01
V₂
1.09 (V)
1.07 (V)
0.01
V₃
1.
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조절이 정확하게 맞지 않으므로 무게측정에서 오차가 생겼을 수 있다.
6. 참고 문헌
-일반물리학실험/북스힐 159~163쪽 참고 전자전기공학 - 쿨롱의 법칙
1.목적
2.원리
3. 기구 및 장치
4. 실험방법
5. 결과 및 토의
6. 참고 문헌
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결과 그래프
▣ 참고문헌
①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 156p~157p
④전자회로실험, 내하
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조심해야 한다고 생각한다. 작은 동작으로 인해 자신도 모르게 오차를 발생시킬 수 있기 때문이다.
4. 참고문헌 및 출처
- 일반물리학실험(개정판) [청문각] 1. 측정값
2. 결과에 대한 논의
3. 느낀점과 결론
4. 참고문헌 및 출처
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결과는 MOSFET의 동작 원리를 명확하게 이해하는 데 기여하며, 실용적인 회로 설계 및 분석에 있어서도 유용한 기초 자료가 된다. 전체적으로, 본 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 IV 특성을 체험하고 이해하는 소중한 경험이 되었다. 1. 서론
2.
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것을 알게 되었다.
6. 참고문헌 및 자료
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo> 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고
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기초전자전기 실험 1 수업을 할 때는 디지털로 진폭의 크기를 화면에 나타내주는 오실로스코프여서 보다 정확하게 실험 결과를 정량적으로 알 수가 있었습니다. 우리가 실험한 실험 장치는 주파수 발생기에서 나오는 출력을 아날로그 식으로
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1MΩ이라는 가정과 거의 근접하게 결과값이 나왔다. 물론 3.08V - 3V = 0.08V라는 오차값이 있긴 하였지만 거의 이론값과 근접하였기 때문에 신기하기도 했고 성공적인 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<h
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