|
Plating 의 장점
◎ Ion Plating 의 원리
※ DC-diode 아르곤 방전
※ 아르곤 방전에서 음극에서의 충돌
※ 실제 ion plating 방전
◎ ION-PLATING 장비 및 공정
※ 장비
※ 공정
◎ 개발 방향
※ 상업적인 PAPVD 계
※ Coating에서의 변수
◎ reference
|
|
|
diode(빛을 받는 면적이 약 5mm × 5mm인 것을 사용하라. 예를 들면 SP-45ML, silicon photodiode)와 op-amp를 사용하여 빛의 세기(밝기)를 측정하는 회로를 구성하라. 이때 실험실의 조명에 의해 op-amp의 출력 전압이 0.1~1 volt가 되도록 Rf를 선정하는 것이 편
|
|
|
실험기기
DC Power Supply(Dual)
Oscilloscope (Dual)
Signal generator
저항:390Ω 1개, 470Ω 1개,1kΩ 2개, 1.8kΩ 2개, 10kΩ 3개, 33kΩ 1개
가변저항 : 200Ω
Z.D : 5V
콘덴서 50㎌ 2개
TR : 2SC 1815 4개, Q2N2222 4개
4. 시뮬레이션
1) V1=V2
2) V1 = 1V, V2 = 0.5V
3) V1 = 0.5V, V2 = 1V
|
|
|
색을띠며 뛰어난 내마모와 경도를 나타내어 주로 금형,공구류에 적용 되어지고 있다 1.개요
2.DC-diode 아르곤방전 (원리)
3.아르곤방전시 음극에서의 충돌
4.실제 ion-plating방전
5.실제적인 고려사항 및 상세한 계의 내용들
6.응용
|
|
|
및 Panel크기에 따라 차이가 있음
TFT
기판
8). 절단(Cutting)
- TFT Cell이 완성된 Glass를 각 개별 Panel단위로 절단하는 공정
- 절단된 Panel의 크기가 화면의 크기로 결정됨
9). 액정 및 Module(조립) 공정 LCD (Liquid Crystal Display)
I. 액정의 기본개념
1
|
|
메뉴펼치기
