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실험순서
1)그림 2-4의 제너 안정기 회로를 구성한다.
2)를 최소로 하고 를 7[V]로 한 후 스위치 S를 닫는다.
3)을 측정하고 식 , , 룰 이용하여 표2-1
을 작성한다.
4)값을 변화시켜서 실험방법 3번을 반복한다.
5) = 200 으로 하고 실험방법 2번, 3번을
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Diode에 흐른 전압 측정> <그림 6 LED의 구동>
5. 결론
▶ Diode 특성 곡선 실험
● 그래프를 토대로 Diode의 특성 곡선 그래프를 그려 보았다. [0.1V~4.0V]의 전압을 인가했을 때는 증가량의 총합이 0.1mA미만으로 전류가 거의 차단되었고 [0.4V~0.65V
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절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전압이 걸리면 공핍층의 영역이 줄어들어 전류가 흐르게 되고, 역방향 전압이 걸리면 공핍층의전류가 흐르지 않게 된다. -실험제목
-실험목적
-배경이론
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용한 제너다이오드는 정전압 안정회로에 사용된다.
그림2)는 Zener Diode의 일반적인 회로를 나타내는데, 제너다이오드는 항상 역방향 전압을 인가하여 사용한다. 여기서 제너다이오드에 직렬로 연결된 저항 R은 입력 전압이 변동하였을 때 회로
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제너다이오드가 역전압을 견디지 못하고 covalent bond가 깨져버리기 때문에 순간적으로 역방향에 전류가 크게 흐르게 되는 것이다. 실험주차
실험목적
실험개요
이론적 배경
1. PN Diode
2. Zener Diode
실험방법
토의/고찰
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및 CH2 POSITION : 해당 신호를 위 아래로 이동시켜 볼 수 있다. 교류를 살펴보고자 할 때 VERTICAL POSITION을 조정하여 화면의 중앙을 0 V로 할 수 있고 직류의 경우 화면 가장 아래 부분을 0 V로 설정할 수 있다. VERTICAL CH1 POSITION과 VERTICAL CH2 POSITION을 사
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많이 사용 : 게이트에 전류가 흐르지 않으므로 전력소모가 적고 공정상 집적도가 높다. 1. 트랜지스터의 역사
2. 트랜지스터의 종류
3. 트랜지스터의 구조
4. 트랜지스터의 전류
5. p형,n형 동작특성
6. BJT 전류-전압 특성
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회로를 구성하여 보았는데 여기서 이 형태가 나타났다. 그림 28-3을 보면 0.7V부근에서 매우 급격하게 기울기가 증가하는 것을 볼 수 있다. 이 점에서 저항이 매우 작은 회로는 다이오드의 특성을 잘 살펴볼 수 있다는 것을 확인하였다.
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① 접합 다이오드
② 순방향/역방향 바이어스
③ 순방향/역방향 전압-전류 특성
④ 다이오드 모델
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진행시키면서 결과를 얻음.
Example 1
Example 2
Reference
1. http://www.cea.com/cai/augtheo/spectro.htm
2. http://spintronics.inha.ac.kr
3. Physical Metallurgy Principles - Reed-Hill 1. 다이오드(diode)
2. 트랜지스터의 정의 및 원리
결과 리포트
측정 장비에 대한 조사
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