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전압에 의해 제어
0(zero)
애노드-캐소드 전압
0(zero)
외부인가 전압과 동일
3. 실험
3-1 실험 절차
1. 위의 그림 1-3의 회로를 구성한다.
2. 순방향 전합 를 증가시키면서 저항 양단의 전압 , 다이오드 양단의 전압 와 다이오드를 통해 흐르는 전류 를
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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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특성원리 등을 알게 되었고 잊어버렸던 테스터기를 쓰는 방법도 다시 알게 되었습니다. 1. 목 적
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류 특성 및 극성 테스트
3. 실험
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전압 및 R2(220Ω) 양단 전압을 측정할 수 있도록 한다.
5. 결과
- 다이오드의 전압 전류
R1의 위치
DIODE VOLTAGE
DIODE
CURRENT
INPUT
VOLTAGE
실험순서4
6V
0.03
6V
시계방향 끝
6.4V
0.03
15V
- 시험을 통하여 제너 다이오드가 역방향 특성을 이용하는 다이오드이
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다이오드 특성)
1. 목 적
2. 이 론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 다이오드의 구조와 동작
3. 실험 방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
4. 실험 결과
A. 옴의 법칙
B. 다이오드의 특성
5. 분석 및 토의
6. 고 찰
A. 옴의
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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결과를 얻게 되었다. 그 결과의 이유는 확실히 잘 모르겠다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4. P-spice 시뮬레이션
결과보고서
1. 실험의 목적
2. 실험용 기기 및 부품
3. 실험 결과
4. 고찰 및 토의
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다이오드 특성을 통해 다이오드와 LED의 차이점과 원리 등을 알게되었고 언제나 전기를 다루는 실험은 정말 주의하며 실험해야한다는 것을 다시한번 되새기게 되었다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 관련 이론
4. 실험기기 및 재료
5. 실
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다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점회전위(문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
(Si)= 0.7V
(Ge)= 0.3V
4. 토의 및 고찰
실리콘과 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성에 대하여 실험을 하였다.
다이오드의 순방향과 역방향의 문턱전압에 대하
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실험에 사용한 다이오드가 정상임을 알 수 있었다.
DMM 단자 극성
지시치[V]
+
-
양극
음극
0.6V
음극
양극
2.9V
B. DC 측정법에 의한 특성곡선 추출
- 빵판을 이용해 <사진 2>처럼 회로를 구성한뒤에 회로양단에 가변시키는 전압 Vs와 회로에 사용
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