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전압-전류의 특성을 그림 1-9에서 나타내고 있다.
그림 1-8. 다이오드 3차 근사 해석법에 의한 등가회로
그림 1-9. 3차 근사 해석법에 의한 전압-전류 특성
3. 실험 기계 및 부품
1) 직류 전원 장치
2) 멀티미터 : VOM(volt-ohm-milliammeter)
3) 실리콘 다
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전압을 가지고 회로의 특성을 알 수 있듯이 파의 형태를 보고 우리는 유추도 해 낼 수도 있어야 하겠다.
결과 3-6 브리지 전파정류회로
실험 목적
다이오드 브리지 회로를 사용한 전파 정류회로의 특성을 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/
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실험에서는 한 다이오드가 순방향이면 다른 다이오드는 역방향이되고 출력 전압은 저항에 걸리므로 전압이 볼테이지 디바이드룰에따라 나오게 되어 네 번째 실험에 비해 낮은 전압이 측정되는 것을 볼 수 있다. 반파 및 정파 정류
1. 실
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(옴의 법칙, 다이오드 특성)
B. Kirchhoff의 법칙
4. 실험 방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. Kirchhoff의 법칙 실험
5. 실험결과
A. 옴의 법칙 (100, 1K)
B. 다이오드 특성
C. Kirchhoff의 법칙 실험
6. 분석 및 토의
7. 참고문헌
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실험에서는 다이오드 방향을 바꾸면서 직류전압의 방향도 바꿨어야 했는데, 실험자료의 그림 5-14(b)에서는 위의 그림 3-10과 같이 전압 방향이 변하지 않았기 때문에, 실험 결과는 DC전 1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5.
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있다. 1. 실험 결과 데이터
BJT특성
1)트랜지스터 형태 단자 재료의 결정
2)컬랙터 특성 표8.3
3) α 와 β 의 변화
고정바이어스 전압분배기 바이어스
1) β의 결정
2)고정바이어스회로
3)전압분배기 바이어스회로
2. 실험 결과 및 검토
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다이오드 전압 강하량 υD를 구하시오.
-> υD = 400mV
-실험 a), b)에서 υA, υB의 오실로스코프의 파형을 삽입하시오.
1. υDpeak 구할때 파형
2.υDpeak/10 구할때 파형
2.tD/2 , υD/2구할때 파형
-실험 c)에서 υA, υB의 오실로스코프의 파형을 삽입하시오.
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공핍층이 점점 넓어진다.
표면누설전류
역방항으로 바이어스된 다이오드에는 결정의 표면을 흐르는 미소전류가 흐르며 이것을 표면 누설 전류라고 하며 이것은 표면의 불순물과 결정구조의 결함 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 준비물
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전압곡선 및 역방향 전류 대 전압곡선을 그린 다
6. 반도체 si 와 Ge 의 두 가지 다이오드에 대해서 각각 실험하 고 그 특성곡선의 특징을 비교한다.
7. 측정이 끝나면 가변전압을 0V로 하고 전원을 off시킨다
<그림4>p-n형 다이오드 정류특성
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충분히 큰 저항레벨은 개방회로로
볼 수 있다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 다이오드 테스트
(2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
(3) 역방향 바이어스
(4) DC 저항
(5) 점화 전위
5. 결론 및 고찰
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