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다이오드가 ON상태가 되므로 저항양단의 출력전압이 입력 전압과 다이오드전압인 약 1.4V(0.7V + 0.7V)을 나타낸다 하지만 실험에서는 대략 0.7V가 특정되었다.
이번 실험을 진행하면서 브리지 정류회로 실험당시에 출력파형은 마치 반파정류 회로
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수 있다.
6. 참고문헌
일반물리학 및 실험(형설출판사) 1. 실험제목 : 옴의 법칙
2. 실험목적
3. 관련이론
1) 옴의 법칙
4. 실험결과
A. 저항값 계산 및 측정
B. 옴의 법칙
C. 다이오드 특성
5. 분석 및 토의
6. 참고문헌
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전압-전류의 특성을 그림 1-9에서 나타내고 있다.
그림 1-8. 다이오드 3차 근사 해석법에 의한 등가회로
그림 1-9. 3차 근사 해석법에 의한 전압-전류 특성
3. 실험 기계 및 부품
1) 직류 전원 장치
2) 멀티미터 : VOM(volt-ohm-milliammeter)
3) 실리콘 다
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전압을 가지고 회로의 특성을 알 수 있듯이 파의 형태를 보고 우리는 유추도 해 낼 수도 있어야 하겠다.
결과 3-6 브리지 전파정류회로
실험 목적
다이오드 브리지 회로를 사용한 전파 정류회로의 특성을 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/
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실험에서는 한 다이오드가 순방향이면 다른 다이오드는 역방향이되고 출력 전압은 저항에 걸리므로 전압이 볼테이지 디바이드룰에따라 나오게 되어 네 번째 실험에 비해 낮은 전압이 측정되는 것을 볼 수 있다. 반파 및 정파 정류
1. 실
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(옴의 법칙, 다이오드 특성)
B. Kirchhoff의 법칙
4. 실험 방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. Kirchhoff의 법칙 실험
5. 실험결과
A. 옴의 법칙 (100, 1K)
B. 다이오드 특성
C. Kirchhoff의 법칙 실험
6. 분석 및 토의
7. 참고문헌
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있다. 1. 실험 결과 데이터
BJT특성
1)트랜지스터 형태 단자 재료의 결정
2)컬랙터 특성 표8.3
3) α 와 β 의 변화
고정바이어스 전압분배기 바이어스
1) β의 결정
2)고정바이어스회로
3)전압분배기 바이어스회로
2. 실험 결과 및 검토
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1. 실험 목적
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
② 반파 정류기
3. 실험방법
① 다이오드 전압-전류특성 실험
② 반파 정류기 실험
실험결과 및 검토
실험 결과
1. 다이오드 실험 측정 기록표
2. 반파 정류기 실험측정
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다이오드 전압 강하량 υD를 구하시오.
-> υD = 400mV
-실험 a), b)에서 υA, υB의 오실로스코프의 파형을 삽입하시오.
1. υDpeak 구할때 파형
2.υDpeak/10 구할때 파형
2.tD/2 , υD/2구할때 파형
-실험 c)에서 υA, υB의 오실로스코프의 파형을 삽입하시오.
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전압곡선 및 역방향 전류 대 전압곡선을 그린 다
6. 반도체 si 와 Ge 의 두 가지 다이오드에 대해서 각각 실험하 고 그 특성곡선의 특징을 비교한다.
7. 측정이 끝나면 가변전압을 0V로 하고 전원을 off시킨다
<그림4>p-n형 다이오드 정류특성
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