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회로대로 브레드 보드에 연결한 결과, 오실로스코프를 통한 출력 파형은 이론과 근접하게 나왔고 예비레포트에서 Pspice를 통한 시뮬레이션과 크게 다르지 않았다. 하지만 오랜만에 오실로스코프와 브레드 보드를 다루어 보다보니 미숙한 점
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변환 후에는 한번에
파형을 얻을 수 있었던 것 같다. 하지만 를 계산으로 구한 값으로 얻은 R 과 그냥 를 바로 대입하여 구한 값이 다르다. 이번 실험에서도 실험의 과정이나
파형의 모습은 제대로 얻을수 있었지만 다른 조들과는 다르게 이론
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회로를 구성하면 위의 그림과 같이 구성할수 있다. 그리고 각 저항에 흐르는 전력을 계산해 보았으나 모두다 용량을 초과 하는 것이 없으므로 과도한 열이 발생하는 일은 없을것이라 생각된다. 1. 목적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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작동하지 않는다는 것을 알수있는데, 잠시 예비 레포트 결과를 빌려보면 적분동작 한계주파수 그리고 이때 이면 적분회로동작 하게되는데 라는 조건을 만족시키지 못하였기 때문이라 생각한다.
다음으로 미분기의 결과를 살펴보면, 우선 전
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회로가 복잡하다
자기 바이어스 - 비교적 간략한 회로, 게이트 바이어스보다는 안정하지만 전압분배기 바이어스 처럼 안정하지 않다.
전압 분배 바이어스가 자기 바이어스에 비해 좋은 장점은 Q점이 가장 안전하다는 것이다.
3) JFET 전압 분배
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궤환 Bias가 사용된다.
여기서 드레인 궤환 바이어스 회로는 입력 전류 이 되므로 에 전압도 0이 되 기 때문에 는 가 되어 큰 전압( 이상 전압)을 얻을 수 있는 EMOSFET 용 바이어스 회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된
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1. 실험 목적
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
② 반파 정류기
3. 실험방법
① 다이오드 전압-전류특성 실험
② 반파 정류기 실험
실험결과 및 검토
실험 결과
1. 다이오드 실험 측정 기록표
2. 반파 정류기 실험측정
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예비레포트에 썼듯이 미리 빵판에 회로도를 설계하고, 여러 가지 조사해 갔지만 역시나 부족한 점이 많았다. 준비한
저항기들의 측정값들은 실제 저항값과 다르게 오차가 모두 발생하였다. 실제 저항값과 다른 것은 오래 써왔기 때문에 손실
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같다. 그러므로 각각의 부하에 걸리는 전압이 전기저항에 비례한다. 하지만 병렬회로에서는 부하에 걸리는 전압이 같으므로, 각각의 부하에 흐르는 전류가 전기저항에
반비례한다.
2) Kirchhoff의 법칙
a) 전기회로에 관한 법칙
㈎ 전류의 법칙
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회로에 적용할 수 있는 op-amp로 안정성을 크게 하기 위해 대역폭이 낮아져 있다. Dual type MC1458, JFET 입력의 LF351, TL081, 단일전원형으로 LM358(2904) 등이 주로 쓰인다. 가격은 싸지만 성능은 나쁘다.
2) 고정밀형
주로 미소 신호 계측 용으로 사용한
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